[發明專利]阻斷半導體差排缺陷的方法

無效

• 申請號: 200810167630.2
• 申請日: 2008-10-21
• 公開（公告）號: CN101728244A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 吳芃逸;黃世晟;涂博閔;葉穎超;林文禹;詹世雄
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 陳晨;張浴月

1.一種阻斷半導體差排缺陷的方法，至少執行一次下列步驟：

形成多個凹洞于一半導體層上的差排缺陷處；

在每一個凹洞上形成一阻斷層；以及

再外延該半導體層，使該半導體層側向成長，導致差排缺陷轉向。

2.根據權利要求1的阻斷半導體差排缺陷的方法，借由蝕刻該半導體層以形成多個凹洞于該半導體層上的差排缺陷處，且其中在每一個凹洞上形成一阻斷層包含下列步驟：

沉積一阻斷層于該半導體層上；

涂布光致抗蝕劑于該阻斷層上，以形成填滿所述多個凹洞的光致抗蝕劑；

移除所述多個凹洞以外的光致抗蝕劑；

蝕刻該半導體層，以移除所述多個凹洞以外的該阻斷層，借此形成多個分布于凹洞的阻斷層；

移除所述多個阻斷層上的光致抗蝕劑，前述的阻斷層為介電質，可包含氮化鎂、氮化硅、氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、一氮化硅或一氧化硅等其中之一；以及

移除光致抗蝕劑。

3.根據權利要求1的阻斷半導體差排缺陷的方法，在形成多個凹洞于一半導體層上的差排缺陷處之前，還包含下列步驟：

提供一襯底；以及

形成該半導體層于該襯底上，并形成一緩沖層于該襯底與該半導體層之間，前述的襯底可為藍寶石襯底、碳化硅襯底、鋁酸鋰襯底、鎵酸鋰襯底、硅襯底、氮化鎵襯底，氧化鋅襯底、氧化鋁鋅襯底、砷化鎵襯底、磷化鎵襯底、銻化鎵襯底、磷化銦襯底、砷化銦襯底或硒化鋅襯底等其中之一。

4.根據權利要求1的阻斷半導體差排缺陷的方法，其中上述的半導體層為III族氮化物。

5.一種阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，包含下列步驟：

執行權利要求1的方法；以及

外延一化合物半導體復合層于該半導體層上，以形成一發光二極管。

6.一種阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，包含下列步驟：

外延一半導體層于一襯底上；

蝕刻該半導體層以形成多個凹洞于該半導體層上的差排缺陷處；

形成多個阻斷層于所述多個凹洞上；

再外延該半導體層，使該半導體層側向成長，導致差排缺陷轉向；以及

外延一化合物半導體復合層于該半導體層上，以形成一發光二極管。

7.根據權利要求6的阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，其中形成多個阻斷層于所述多個凹洞上包含下列步驟：

沉積一阻斷層于該半導體層上；

涂布光致抗蝕劑于該阻斷層上，以形成填滿所述多個凹洞的光致抗蝕劑；

移除所述多個凹洞以外的光致抗蝕劑；

蝕刻該半導體層，以移除所述多個凹洞以外的該阻斷層，以形成多個分布于凹洞的阻斷層；

移除所述多個阻斷層上的光致抗蝕劑，前述的阻斷層可為介電質，可包含氮化鎂、氮化硅、氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、一氮化硅或一氧化硅等其中之一；以及

光致抗蝕劑可借由光刻工藝移除。

8.根據權利要求6的阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，其中上述的襯底可為藍寶石襯底、碳化硅襯底、鋁酸鋰襯底、鎵酸鋰襯底、硅襯底、氮化鎵襯底，氧化鋅襯底、氧化鋁鋅襯底、砷化鎵襯底、磷化鎵襯底、銻化鎵襯底、磷化銦襯底、砷化銦襯底或硒化鋅襯底等其中之一，且還包含形成一緩沖層于該襯底與該半導體層之間。

9.根據權利要求6的阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，其中上述的半導體層為III族氮化物。

10.根據權利要求6的阻斷發光二極管內部差排缺陷的方法，其中外延一化合物半導體復合層于該半導體層上還包含下列步驟：

形成一N型半導體導電層于該半導體層上；

形成一發光層于該N型半導體導電層上；以及

形成一P型半導體導電層于該發光層上，且形成一P型半導體電子阻擋層于該發光層與該P型半導體導電層之間，前述的N型半導體導電層、該發光層、該P型半導體導電層、該P型半導體電子阻擋層均為III族氮化物。