[發明專利]半導體裝置的制造方法及固體成像裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200810161755.4
• 申請日: 2008-09-26
• 公開（公告）號: CN101431054A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 大塚惠美
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/762;H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 黃劍鋒

1.一種半導體裝置的制造方法，其中，所述半導體裝置具備第1及第2電路區域，所述第1及第2電路區域分別含有用于形成元件的活性區域，并且，所述第1電路區域所含有的活性區域在整個所述第1電路區域中所占的比率大于所述第2電路區域所含有的活性區域在整個所述第2電路區域中所占的比率；

所述半導體裝置的制造方法的特征在于：

所述半導體裝置的制造方法包括，

在半導體基板上的整個所述第1及第2電路區域上形成第1絕緣薄膜后，選擇性地對所述第1絕緣薄膜進行刻蝕，形成開口的元件分離區域圖形的工序，其中，所述元件分離區域用于隔開所述第1及第2電路區域中分別所含有的活性區域；

將形成了所述圖形的第1絕緣薄膜作為掩模，對所述半導體基板進行刻蝕，在整個所述元件分離區域形成溝槽的工序；

形成第2絕緣薄膜的工序，使所述第2絕緣薄膜覆蓋于形成了所述圖形的第1絕緣薄膜上的所述第1及第2電路區域整體，并填埋于所述溝槽的內部；

選擇性地對所述第2絕緣薄膜進行刻蝕，在由所述元件分離區域分隔開的活性區域內形成孔的工序；及，

通過研磨除去形成了所述孔的第2絕緣薄膜，僅在所述溝槽內部殘留所述第2絕緣薄膜的工序；

在形成所述孔的工序中，所述第1電路區域中的間隔小于所述第2電路區域中的間隔，所述間隔為經所述元件分離區域分隔開的活性區域的外周與形成于該活性區域內的所述孔的區域的外周之間的間隔。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

設定所述第1及第2電路區域中的所述間隔，使經所述元件分離區域分隔開的活性區域的單位面積中，該活性區域減去該活性區域內的所述孔的區域后獲得的剩余區域的面積在所述第1電路區域和所述第2電路區域中一致。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

設定所述第1及第2電路區域中的所述間隔，使經所述元件分離區域分隔開的活性區域減去該活性區域內的所述孔的區域后獲得的剩余區域的面積，除以該活性區域的面積所獲得的結果，在所述第1電路區域及所述第2電路區域中一致。

4.根據權利要求1～3中任意一項權利要求所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述半導體裝置是固體成像裝置；

所述第1電路區域是像素部，排列有多個像素，其中，所述像素具備形成于所述活性區域，并對入射光進行光電轉換的光電二極管；

所述第2電路區域是周邊電路部，包含多個形成于所述活性區域的晶體管。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述像素部中的所述間隔被設定為：在每個由所述元件分離區域分隔開的活性區域，所述像素部中的所述間隔由所述像素部的中央部逐漸增大到周邊部。

6.根據權利要求1～3中任意一項權利要求所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述半導體裝置的制造方法還包括，

僅在所述溝槽內部殘留所述第2絕緣薄膜后，在所述半導體基板上形成導電性薄膜的工序；及

選擇性地對所述導電性薄膜進行刻蝕，形成橫跨于所述第2絕緣薄膜上的電極或配線的工序，其中，所述第2絕緣薄膜僅殘留于所述溝槽的內部。

7.一種固體成像裝置的制造方法，所述固體成像裝置具備：像素部，排列有多個像素，其中，所述像素具備形成于活性區域，并對入射光進行光電轉換的光電二極管；及周邊電路部，包括多個形成于活性區域的晶體管；所述固體成像裝置的制造方法的特征在于：

所述固體成像裝置的制造方法包括，

在半導體基板上的整個所述像素部及所述周邊電路部上形成第1絕緣薄膜后，選擇性地對所述第1絕緣薄膜進行刻蝕，形成開口的元件分離區域圖形的工序，所述元件分離區域用于隔開所述像素部及所述周邊電路部中分別所包含的活性區域；

將形成了所述圖形的第1絕緣薄膜作為掩模，選擇性地對所述半導體基板進行刻蝕，在所述元件分離區域的整體形成溝槽的工序；

形成第2絕緣薄膜的工序，使所述第2絕緣薄膜覆蓋于形成了所述圖形的第1絕緣薄膜上的所述像素部及所述周邊電路部整體，并填埋于所述溝槽的內部；

選擇性地對所述第2絕緣薄膜進行刻蝕，在經所述元件分離區域分隔開的活性區域內形成孔的工序；及，

通過研磨除去形成了所述孔的第2絕緣薄膜，僅在所述溝槽內部殘留所述第2絕緣薄膜的工序；

在形成所述孔的工序中，所述孔僅形成于所述像素部。