[發明專利]等離子處理設備和用于對瓶進行等離子處理的方法有效
| 申請號: | 200810161337.5 | 申請日: | 2008-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN101392368A | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發明(設計)人: | 安德魯斯·克勞斯;喬奇恩·克魯格 | 申請(專利權)人: | 克朗斯股份公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 德國諾*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 設備 用于 進行 方法 | ||
1.一種等離子處理設備(1),其包括:
處理室(2),待處理的瓶(3)能夠被供給到該處理室(2);
真空室(4);
閥(5),該閥(5)被連接到所述真空室(4),在該閥(5)的打開狀態下,該閥(5)經由抽真空通道(7a、7b)將所述瓶(3)的內部(6)連接到所述真空室(4)并且以氣密方式相對于所述處理室(2)密封所述瓶(3)的所述內部(6);所述等離子處理設備(1)還包括
用于工藝氣體(9)的供應單元(8);
其特征在于,
所述真空室(4)被配置在所述處理室(2)的內部;
在所述閥(5)的關閉狀態下,所述真空室(4)被以氣密方式相對于所述處理室(2)密封;以及
所述閥(5)實現為使得將由瓶開口(10)施加到所述閥(5)的入口區域(11)的預定壓力打開所述閥(5)。
2.根據權利要求1所述的等離子處理設備,
其特征在于,
在所述閥(5)的打開狀態下,用于所述工藝氣體(9)的所述供應單元(8)經由所述閥(5)的供應通道(12a、12b)被連接到所述瓶(3)的所述內部(6),并且在所述閥(5)的關閉狀態下,所述供應通道(12a、12b)被中斷。
3.根據權利要求2所述的等離子處理設備,
其特征在于,
在所述閥(5)的關閉狀態下,用于所述工藝氣體(9)的所述供應單元(8)被連接到所述閥(5)的排出通道(13)。
4.根據權利要求3所述的等離子處理設備,
其特征在于,
所述閥(5)的所述排出通道(13)被連接到所述真空室(4)。
5.根據權利要求1所述的等離子處理設備,
其特征在于,
在所述處理室(2)與所述真空室(4)之間持續存在壓差。
6.根據權利要求1所述的等離子處理設備,
其特征在于,
支撐所述真空室(4)使得所述真空室(4)可相對所述處理室(2)轉動。
7.一種用于對瓶進行等離子處理的方法,該方法使用權利要求1至6中任一項所述的等離子處理設備,
其特征在于,
為涂覆瓶(3)的內部,調整所述處理室(2)中的壓強使得等離子不能點火,并且調整所述真空室中的壓強使得在連接到所述真空室的所述瓶的所述內部(6)中產生等離子。
8.根據權利要求7所述的用于對瓶進行等離子處理的方法,
其特征在于,
在所述瓶(3)的所述內部(6)中產生的壓強比所述處理室(2)中的壓強小10-50mbar。
9.一種用于對瓶進行等離子處理的方法,該方法使用權利要求1至6中任一項所述的等離子處理設備,
其特征在于,
為涂覆瓶(3)的內部,調整所述真空室(4)中的壓強使得等離子不能點火,并且調整所述處理室(2)中的壓強使得在連接到所述真空室(4)的所述瓶(3)的外部區域(2a)中產生等離子。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





