[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 200810149148.6 | 申請日: | 2008-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101388327A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發明(設計)人: | 宮城聰;金岡雅;茂森和士;安田周一;真田雅和 | 申請(專利權)人: | 株式會社迅動 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;G03F7/00;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 馬少東 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,配置成與曝光裝置相鄰,其特征在于,
具有:
處理部,其用于對基板進行處理,
交接部,其用于在上述處理部與上述曝光裝置之間交接基板;
上述處理部和上述交接部中的至少一方包括干燥處理單元,該干燥處理單元用于對基板進行干燥處理,
上述干燥處理單元包括:
基板保持裝置,其將基板保持為大致水平,
旋轉驅動裝置,其使上述基板保持裝置所保持的基板圍繞垂直于該基板且通過該基板的中心的軸旋轉,
沖洗液供給部,其向上述基板保持裝置所保持的基板上供給沖洗液,
沖洗液供給移動機構,其移動上述沖洗液供給部,從而從旋轉的基板的中心部向周邊部連續供給沖洗液;
上述沖洗液供給移動機構使上述沖洗液供給部在供給沖洗液的狀態下,暫時停止在從基板的中心部遠離規定距離的位置,
上述規定距離以及暫時停止的時間被預先設定,以使在暫時停止上述沖洗液供給部的移動的期間,在基板的中心部只形成一個干燥核斑。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述旋轉驅動裝置分階段地或者連續地改變基板的轉速:在向基板的中心部供給沖洗液的狀態下使基板以第一轉速旋轉,在向基板的周邊部供給沖洗液的狀態下使基板以低于上述第一轉速的第二轉速旋轉。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述沖洗液供給部分階段地或者連續地改變沖洗液的流量:以第一流量向基板的中心部供給沖洗液,以小于上述第一流量的第二流量向基板的周邊部供給沖洗液。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述沖洗液供給部分階段地或者連續地改變沖洗液的供給壓:以第一供給壓向基板的中心部供給沖洗液,以低于上述第一供給壓的第二供給壓向基板的周邊部供給沖洗液。
5.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述干燥處理單元還包括氣體供給部,該氣體供給部在上述沖洗液供給部對遠離基板中心的位置供給沖洗液的狀態下,對基板的中心部噴射氣體。
6.如權利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,上述干燥處理單元還包括氣體供給移動機構,該氣體供給移動機構移動上述氣體供給部,使得基板上供給氣體的位置在保持比上述沖洗液供給部供給沖洗液的位置更靠近基板的中心部的位置的狀態下,從基板的中心部向基板的周邊部移動。
7.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述處理部還包括:
感光膜形成單元,其在基板上形成由感光材料構成的感光膜,
顯影處理單元,其對曝光處理后的基板進行顯影處理;
在上述曝光裝置進行了曝光處理后且在上述顯影處理單元進行顯影處理前,上述干燥處理單元對基板進行干燥處理。
8.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述規定距離是15~25mm,上述暫時停止的時間是10秒。
9.一種基板處理方法,在基板處理裝置中對基板進行處理,該基板處理裝置配置成與曝光裝置相鄰,并且包括處理部和交接部,其特征在于,
包括:
通過上述處理部,對基板進行曝光處理前的處理的工序,
通過上述交接部,將上述處理部處理過的基板從上述處理部交接至上述曝光裝置的工序,
通過上述交接部,將上述曝光裝置曝光處理后的基板從上述曝光裝置交接至上述處理部的工序,
通過上述處理部,對基板進行曝光處理后的處理的工序,
在上述處理部和上述交接部中的至少一方中,對基板進行干燥處理的工序;
對上述基板進行干燥處理的工序包括:
保持上述基板為大致水平,同時使上述基板圍繞垂直于基板且通過基板的中心的軸旋轉的工序,
通過移動沖洗液供給部,從旋轉的基板的中心部向周邊部連續供給沖洗液的工序;
在供給上述沖洗液的工序中,使上述沖洗液供給部在供給沖洗液的狀態下,暫時停止在從基板的中心部遠離規定距離的位置,
上述規定距離以及暫時停止的時間被預先設定,以使在暫時停止上述沖洗液供給部的移動的期間,在基板的中心部只形成一個干燥核斑。
10.如權利要求9所述的基板處理方法,其特征在于,上述規定距離是15~25mm,上述暫時停止的時間是10秒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





