[發明專利]液晶顯示裝置的電路缺陷修補方法以及裝置

無效

• 申請號: 200810148866.1
• 申請日: 2008-09-27
• 公開（公告）號: CN101403827A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 池田真人
• 申請（專利權）人: 日本麥可羅尼克斯股份有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G01R31/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及對形成在液晶顯示裝置用的電路基板上的電路的缺陷進行修補的方法以及裝置。

背景技術

作為液晶顯示裝置，現在大多采用有源矩陣式的裝置。該裝置在作為液晶顯示裝置(液晶顯示面板)的電路基板的玻璃基板上、為了驅動像素電極而在每個像素電極上設置有薄膜晶體管(TFT)(thin?film?transistor)那樣的開關元件。

作為上述那樣的電路基板的修補技術之一，有如下技術：通過預先在基板上形成多個開關元件而使各像素電極帶有冗余性，或是在與一個像素電極相對應的開關元件產生缺陷時，預先形成使該像素電極和與該開關元件相連接的配線部短路的導電通路(專利文獻1以及2)?？傊鲜鲂扪a技術是預見到在基板的制造過程中在開關元件上會產生缺陷，而預先形成用于修補的配線部。

作為其他修補技術之一，有在覆蓋發生斷線的部位的保護層上開孔，利用激光CVD、濺射使導電性材料堆積(專利文獻3、4以及5)的技術。

專利文獻1：日本特開平9-230385號公報

專利文獻2：日本特開2005-92154號公報

專利文獻3：日本特開平9-152568號公報

專利文獻4：日本特開平11-260819號公報

專利文獻5：日本特開平2002-182246號公報

但是，在專利文獻1以及2的修補技術中，由于預先在基板上設置了用于修補的電路，因此各像素的數值孔徑變低，并且由設置的電路產生的耦合電位成為混入噪音等的原因。

另一方面，在專利文獻3、4以及5的修補技術中，由于利用激光CVD、濺射來進行修補，因此成本增高，并且修補作業還需要時間。

發明內容

本發明的目的在于不使各像素的數值孔徑降低，就能更簡便且廉價地進行修補。

本發明的液晶顯示裝置的電路缺陷修補方法包括：第1工序，在保護層上形成開口部，使上述信號線的一部分露出，該保護層覆蓋與產生上述缺陷的像素的像素電極相鄰的信號線；第2工序，將導電性材料堆積到上述開口部及其附近，且將堆積的導電性材料與上述像素電極電連接。

本發明的液晶顯示裝置的電路缺陷修補裝置包括開口部形成裝置和短路配線形成裝置；上述開口部形成裝置在保護層上形成開口部，使上述信號線的一部分露出，該保護層覆蓋與產生上述缺陷的像素的像素電極相鄰的信號線；上述短路配線形成裝置將導電性材料堆積到上述開口部及其附近，且將堆積的導電性材料與上述像素電極電連接。

上述導電性材料可以作為導電性膏(paste)堆積到上述開口部及其附近。

上述導電性膏可以包括納米金屬粒子和粘合劑(binder)。

上述第2工序還可以包括將在大氣壓下等離子化的氧自由基噴涂到上述堆積的導電性膏上的工作。

上述第2工序還可以包括將在大氣壓下等離子化的加熱用氣體吹到上述堆積的導電性膏上的工作。

上述第1工序還可以包括將激光照射到要形成上述開口部的部位來除去該部位的上述保護層的一部分的步驟。

另外，上述第1工序還可以包括通過將等離子化的還原性氣體噴射到要形成上述開口部的部位來除去該部位的上述保護層的一部分的步驟。

上述短路配線形成裝置也可以包括堆積裝置，該堆積裝置將作為上述導電性材料而包括納米金屬粒子和粘合劑的導電性膏堆積到上述開口部及其附近。

上述短路配線形成裝置還可以包括將在大氣壓下等離子化的氧自由基噴涂上述堆積的導電性膏上的等離子產生裝置。

上述短路配線形成裝置還可以包括加熱上述堆積的導電性膏的加熱裝置，該加熱裝置既可以是將在大氣壓下等離子化的加熱用氣體吹到上述堆積的導電性膏上的等離子產生裝置，也可以是將激光照射到上述堆積的導電性膏上的激光產生裝置。

上述開口部形成裝置可以包括激光產生裝置。

上述開口部形成裝置可以包括將激光照射到要形成上述開口部的部位來除去該部位的保護層的激光產生裝置。

上述開口部形成裝置也可以包括將等離子化的還原性氣體噴射到要形成上述開口部的部位來除去該部位的上述保護層的一部分的等離子產生裝置替代上述激光產生裝置。

本發明的缺陷修補裝置還可以包括限定用于配置上述電路基板的X-Y平面的支承臺、和可以在配置于該支承臺上的電路基板的上方向X軸方向移動的可動框架。此時，上述開口部形成裝置以及上述短路配線形成裝置可在上述電路基板的上方向Y軸方向移動地支承在上述可動框架上。