[發明專利]一種加強芯片散熱的方法、裝置及系統無效
| 申請號: | 200810146902.0 | 申請日: | 2008-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN101359604A | 公開(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發明(設計)人: | 郭俊生 | 申請(專利權)人: | 深圳華為通信技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/13;H01L23/498;H05K7/20 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加強 芯片 散熱 方法 裝置 系統 | ||
技術領域
本發明涉及電子通信技術領域,尤其是涉及一種加強芯片散熱的方法、裝置及系統。
背景技術
對于一些采用QFP(Quad?Flat?Package,方塊平面封裝)、QFN(Quad?FlatNo?leads?package,方形扁平無引腳封裝)封裝的芯片來說,PCB(Printed?CircuitBoard,印刷電路板)強化芯片散熱的效率高低,直接決定著芯片的使用效果和使用壽命。采用QFP封裝的芯片的60%熱量都是通過芯片底部進行散熱的,因此,利用PCB處理好芯片底部的散熱至關重要。
對于底部有裸露的銅片加強散熱的芯片,可將正對芯片底部的PCB部分鋪錫與裸露銅片焊接,然后在PCB上設置通孔散熱;對于底部沒有裸露銅片的芯片,可在PCB正對芯片底部的部分鋪銅后再設置通孔進行散熱;利用該通孔和空氣受熱后的密度差異,將芯片散發的熱量導入PCB內部或者PCB另一側進行散熱。
在對現有技術的研究和實踐過程中,本發明的發明人發現現有技術存在以下問題:
一般來說,PCB與外殼之間不容易產生空氣對流,只能利用空氣傳導散熱,空氣導熱率僅0.025W/(m*℃);且PCB是由玻纖環氧樹脂和銅組成的分層復合結構,整體的導熱系數為各向異性,通常法線方向導熱率一般不超過0.3W/(m*K)。因此,單純依靠PCB和PCB上的通孔進行芯片散熱,散熱效率低。
發明內容
本發明實施例要解決的技術問題是提供一種加強芯片散熱的方法、裝置及系統,使得芯片底部散熱效率提高。
為解決上述技術問題,本發明所提供的實施例是通過以下技術方案實現的:
一種加強芯片散熱的方法:在印刷電路板與芯片底部對應處開設通孔,所述通孔邊緣不超出芯片邊緣;在所述通孔處加裝散熱器,所述散熱器與所述芯片底部連接進行散熱。
優選地,所述散熱器與所述芯片底部連接進行散熱具體為:
所述散熱器與所述芯片底部通過固定在散熱器基板上表面的突起連接進行散熱。
優選地,所述散熱器的基板下表面帶有散熱齒片。
優選地,所述在所述通孔處加裝散熱器進一步包括:在所述通孔的空隙里填充導熱材料。
優選地,所述在所述通孔處加裝散熱器后還包括:在所述散熱器基板下表面加裝至少一個第二散熱器。
一種散熱器,至少包括基板和突起:所述突起固定在所述基板上表面,用于連接芯片底部和所述基板。
優選地,所述散熱器的所述基板下表面固定有散熱齒片。
一種印刷電路板,至少包括芯片和與芯片底部對應的通孔,所述通孔用于容納散熱器;所述芯片與散熱器連接進行散熱。
一種加強芯片散熱的系統,包括印刷電路板和第一散熱器:所述印刷電路板在與芯片底部對應處含有通孔,所述通孔邊緣不超出芯片邊緣;所述第一散熱器通過印刷電路板上的通孔與芯片底部連接進行散熱。
優選地,所述系統還包括第二散熱器:所述第二散熱器用于將第一散熱器從芯片底部轉移來的熱量散發。
優選地,所述芯片與所述第一散熱器之間和/或所述第一散熱器與所述第二散熱器之間填充有導熱材料。
由上述技術方案可以看出,本發明實施例通過在PCB開設通孔加裝散熱器,并經由散熱器與芯片底部連接的突起將芯片發散的熱量轉移到PCB外部的散熱器上散發,提高了芯片底部的散熱效率。
附圖說明
圖1是本發明實施例的實現環境架構示意圖;
圖2是本發明實施例一的方法流程示意圖;
圖3是本發明實施例散熱器的結構示意圖;
圖4是本發明實施例散熱器上突起的俯視圖;
圖5是本發明實施例散熱器上散熱齒片的俯視圖;
圖6是本發明實施例印刷電路板的結構示意圖;
圖7是本發明實施例加強芯片散熱的系統結構示意圖;
圖8是本發明實施例加強芯片散熱的另一種系統結構示意圖;
圖9是本發明實施例加強芯片散熱的系統的第一散熱器的俯視圖。
具體實施方式
本發明具體實施方式提供了一種加強芯片散熱的方法、裝置及系統,通過在PCB開設通孔加裝散熱器,并經由散熱器與芯片底部連接的突起將芯片發散的熱量轉移到PCB外部的散熱器上散發,提高了芯片底部散熱效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





