[發(fā)明專利]具有光纖模塊的光刻裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810144580.6
• 申請日: 2008-08-22
• 公開（公告）號: CN101655667A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設計）人: 徐維成;王雅志
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B6/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 魏曉剛

技術領域

本發(fā)明是有關于一種光刻裝置，特別是有關于一種以光纖模塊加強分辨率的光刻裝置。

背景技術

在半導體制程中，光刻制程是將集成電路布局圖轉移至半導體晶片上的重要步驟，其借由曝光顯影技術將光罩(photomask)上的圖案以一定的比例轉移(transfer)到半導體晶片表面的光阻層上。而隨著集成電路的集成度的提高，整個集成電路的元件尺寸也必須隨之縮小。因此為了因應集成度提高而導致的光刻誤差，浸潤式光刻技術在業(yè)界中已被廣泛使用，此種浸潤式光刻技術提供一種提高分辨率的方法。其乃是將傳統(tǒng)成像透鏡與光阻之間的空氣介質以流體取代的技術，利用光通過流體介質后，縮短光源波長以提升其分辨率，進而達到元件縮小的目的。

然而，浸潤式光刻技術仍有幾項關鍵因素待克服，例如，純水與光阻交互作用導致浸潤液體污染的問題，以及水中微泡的造成圖案缺陷或圖案扭曲的問題。再者，目前浸潤式光刻技術的分辨率極限約在40?nm，已不足以應付日漸縮小的臨界尺寸。

發(fā)明內容

因此本發(fā)明提供一種光刻裝置，是以一光纖模塊取代傳統(tǒng)的浸潤液體，并且以近場效應提升分辨率，借以改善上述浸潤液體影響成像品質的問題。

本發(fā)明提供一種光刻裝置，包括一光源、一光罩，位于該光源下方、一透鏡，位于該光罩下方、一基材平臺，位于透鏡的下方用于承載一晶圓，其中晶圓之上包括一干膜、一光纖模塊，位于該透鏡下方且于該基材平臺上方，其中該光纖模塊具有一前表面，該光纖模塊的前表面和晶圓上的干膜之間，定義出一間隔，該間隔小于光源的波長。

本發(fā)明提供一種光刻裝置，包括一光源、一光罩，位于光源下方、一透鏡，位于光罩下方、一基材平臺，位于透鏡的下方，用于承載一晶圓，其中晶圓之上具有一干膜，其中光刻裝置的特征包括：一光纖模塊，具有一前表面，其中光纖模塊位于透鏡下方且于該基材平臺上方，光纖模塊的前表面和晶圓上的干膜表面之間，定義出一間隔(gap)，間隔小于光源的波長，以產(chǎn)生近場效應，提升光刻裝置的分辨率。

本發(fā)明系利用光纖模塊將射入透鏡中的光線導出，并且因為光纖模塊和干膜之間的間隔小于光源的波長，因此會造成近場效應，可提供遠小于光波波長的光學分辨率。

為了使能更近一步了解本發(fā)明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的光刻裝置的示意圖。

圖2為本發(fā)明的光刻裝置的部分光線路徑示意圖。

主要元件符號說明

10????光刻裝置????12???????光源

14????第一透鏡????16???????光罩

18????第二透鏡????20、24???前表面

22????光纖模塊????26???????基材平臺

28????晶圓????????30???????干膜

具體實施方式

請參考圖1，圖1為本發(fā)明的一光刻裝置10的示意圖。光刻裝置10包括一光源12、一第一透鏡14、一光罩16，設在第一透鏡14下方、一第二透鏡18設在光罩16下方，其中第二透鏡18具有一前表面20、一光纖模塊22位于二透鏡1?8下方，其中光纖模塊22具有一前表面24、一基材平臺26，位于光纖模塊22下方，用于承載一晶圓28，其中晶圓28上覆有一干膜30。此外，在晶圓28的干膜30表面和光纖模塊22的前表面24之間，有一間距d，值得注意的是：間距d的大小需小于光源12所射出的光波波長。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，光源12可為合適的紫外線光源，例如：氟化氪(KrF)248納米準分子激光和氟化氬(ArF)193納米準分子激光。