[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810142521.5
• 申請日: 2008-07-25
• 公開（公告）號: CN101635300A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張育誠;顏碩廷;洪肇逸
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
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技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管基板及其制造工藝。

背景技術(shù)

液晶顯示面板通常包括一薄膜晶體管基板、一彩色濾光片基板和夾在該兩個基板之間的液晶層，其是通過分別施加電壓至該兩個基板，控制其間液晶分子扭轉(zhuǎn)而實現(xiàn)光的通過或不通過，從而達(dá)到顯示的目的。傳統(tǒng)液晶顯示面板的液晶驅(qū)動方式為扭轉(zhuǎn)向列模式，然而其視角范圍比較窄，即從不同角度觀測畫面時，將觀測到不同的顯示效果。

邊緣電場開關(guān)(Fringe?Field?Switching，F(xiàn)FS)技術(shù)是基于傳統(tǒng)液晶顯示面板的視角狹小等問題而提出的解決方案，其與平面內(nèi)開關(guān)(In-Plane?Switching，IPS)廣視角技術(shù)不同之處在于，邊緣開關(guān)技術(shù)將通過透明導(dǎo)電層形成的公共電極整體置于像素電極上方或下方，從而獲得了高效的邊緣電場，提高了開口率，并減少了光泄漏。因此，邊緣電場開關(guān)技術(shù)具有更好的視角和對比度。

請參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板的局部平面示意圖。該薄膜晶體管基板100包括多條平行間隔設(shè)置的掃描線117、多條平行間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線146、多個薄膜晶體管101、多個像素電極135和一公共電極156。該多條數(shù)據(jù)線146與該多條掃描線117垂直絕緣相交。該薄膜晶體管101位于該掃描線117與該數(shù)據(jù)線146的相交處。該薄膜晶體管101的柵極116連接到該掃描線117，源極144連接到該數(shù)據(jù)線146，漏極145連接到該像素電極135。

請參閱圖2，是該薄膜晶體管基板100沿II1-II1方向和II2-II2方向的剖面示意圖。該薄膜晶體管基板100包括一玻璃基底111。該掃描線117和該柵極116設(shè)置在該玻璃基底111的上表面。該掃描線117、該柵極116和該玻璃基底111的上表面設(shè)置有一柵極絕緣層121。該半導(dǎo)體溝道層126對應(yīng)該柵極116設(shè)置在該柵極絕緣層121的上表面，該像素電極135鄰近該半導(dǎo)體溝道層126設(shè)置在該柵極絕緣層121的上表面。該源極144和該漏極145對應(yīng)該柵極116設(shè)置在該半導(dǎo)體層溝道層126的上表面，且該漏極145覆蓋介于該半導(dǎo)體溝道層126與該像素電極135之間的柵極絕緣層121和該像素電極135的一部分，該數(shù)據(jù)線146跨過該掃描線117設(shè)置在該柵極絕緣層121的上表面。該鈍化層151覆蓋該數(shù)據(jù)線146、該柵極絕緣層121、該源極144、該漏極145和該像素電極135。該公共電極156對應(yīng)該數(shù)據(jù)線146和該像素電極135設(shè)置在該鈍化層151的上表面。

請參閱圖3，是該薄膜晶體管基板100的制造工藝流程圖。該薄膜晶體管基板100的制造工藝主要包括五道掩膜，其主要步驟如下：

步驟S1：形成柵極和掃描線；

步驟S2：形成柵極絕緣層和半導(dǎo)體溝道層；

步驟S3：形成像素電極；

步驟S4：形成源極、漏極、數(shù)據(jù)線和溝槽；

步驟S5：形成鈍化層和公共電極。

但是，由上述制造工藝得到的該薄膜晶體管基板100，其數(shù)據(jù)線146與公共電極156之間和像素電極135與公共電極156之間都僅具有一鈍化層151，從而該數(shù)據(jù)線146與該公共電極156構(gòu)成的電容和該像素電極135與該公共電極156構(gòu)成的電容的兩個極板間的厚度較薄，使得該兩個電容的電容值較大，因而對該兩個電容充電需耗費較多電量且需要較長的充電時間。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板耗電多且充電時間長的問題，有必要提供一種耗電少且充電時間短的薄膜晶體管基板。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板制造工藝得到的薄膜晶體管基板耗電多且充電時間長的問題，有必要提供一種耗電少且充電時間短的薄膜晶體管基板的制造工藝。

一種薄膜晶體管基板，其包括多條掃描線，多個薄膜晶體管，多條與該多條掃描線設(shè)置在同一層的第一數(shù)據(jù)線，多條跨過該掃描線而連接該第一數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線，一覆蓋該第一數(shù)據(jù)線的公共電極。該薄膜晶體管的柵極連接到該掃描線，源極連接到該第二數(shù)據(jù)線。