[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造工藝

無效

• 申請號: 200810142521.5
• 申請日: 2008-07-25
• 公開（公告）號: CN101635300A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 張育誠;顏碩廷;洪肇逸
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管基板，其包括：多條掃描線、多個薄膜晶體管及一公共電極，其特征在于：該薄膜晶體管基板進一步包括多條與該多條掃描線設置在同一層的第一數據線及多條第二數據線，該第二數據線跨過該掃描線而連接該第一數據線，該多個薄膜晶體管的柵極分別連接到該多條掃描線，源極分別連接到該多條第二數據線，該公共電極覆蓋該第一數據線。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該薄膜晶體管基板進一步包括多個第一通孔，該第一數據線與該掃描線相互垂直且在靠近該掃描線處斷開，該第二數據線通過兩個第一通孔跨接位于該掃描線兩側的第一數據線。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該薄膜晶體管基板進一步包括多個像素電極和多個第二通孔，該像素電極與該掃描線設置在同一層，該薄膜晶體管的漏極通過該第二通孔連接到該像素電極。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該第一通孔和該第二通孔在同一掩膜制造工藝步驟中形成。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該公共電極進一步覆蓋該掃描線、該第二數據線和該像素電極。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該第一數據線與該掃描線是相同材料。

7.一種薄膜晶體管基板的制造工藝，其包括如下步驟：

a.提供一基底，在該基底上形成多個薄膜晶體管的柵極、多條掃描線和多條第一數據線；

b.在該基底上形成像素電極；

c.在該多個薄膜晶體管的柵極、該多條掃描線、該多條第一數據線和該像素電極上形成一柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上依序形成一半導體溝道層；

d.在該半導體溝道層上形成多個薄膜晶體管的源極、漏極和多條跨過該掃描線而連接該第一數據線的第二數據線；

e.在該多個薄膜晶體管的源極、漏極和該多條第二數據線上形成一鈍化層；在該鈍化層上形成一覆蓋該第一數據線的公共電極。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板的制造工藝，其特征在于：該步驟c中進一步包括貫穿該柵極絕緣層的多個第一通孔和多個第二通孔，該第一通孔對應該第二數據線，該第二通孔對應該薄膜晶體管的漏極，該第一通孔和該第二通孔在同一掩膜制造工藝步驟中形成。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板的制造工藝，其特征在于：該步驟a中，該閘極、該掃描線及該第一數據線在同一掩膜制造工藝步驟中形成。

10.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板的制造工藝，其特征在于：該步驟d中，該源極、該漏極及該第二數據線在同一掩膜制造工藝步驟中形成。