[發明專利]電源電壓降低檢測電路有效
| 申請號： | 200810135000.7 | 申請日： | 2008-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN101363878A | 公開（公告）日： | 2009-02-11 |
| 發明（設計）人： | 宇都宮文靖 | 申請（專利權）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/165 | 分類號： | G01R19/165 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電源 電壓 降低 檢測 電路 | ||
1.一種檢測電源電壓降低的電源電壓降低檢測電路，其特征在 于包括：
第一NMOS晶體管，該晶體管基于所述電源電壓而輸出基于從 所述電源電壓減去了閾值電壓的絕對值及過驅動電壓后的電壓的源 極電壓；
第二NMOS晶體管，該晶體管基于所述第一NMOS晶體管的源 極電壓而導通、截止；
第一PMOS晶體管，該晶體管基于接地電壓而輸出基于所述接 地電壓加上了閾值電壓的絕對值及過驅動電壓后的電壓的源極電壓；
第二PMOS晶體管，該晶體管基于所述第一PMOS晶體管的源 極電壓而導通、截止；
第一恒流電路，該電路提供電流給所述第一NMOS晶體管；
第二恒流電路，該電路提供電流給所述第二NMOS晶體管及所 述第一PMOS晶體管；以及
第三恒流電路，該電路提供電流給所述第二PMOS晶體管。
2.一種檢測電源電壓降低的電源電壓降低檢測電路，其特征在 于包括：
第一PMOS晶體管，該晶體管基于接地電壓而輸出基于所述接 地電壓加上了閾值電壓的絕對值及過驅動電壓后的電壓的源極電壓；
第二PMOS晶體管，該晶體管基于所述第一PMOS晶體管的源 極電壓而導通、截止；
第一NMOS晶體管，該晶體管基于所述電源電壓而輸出基于從 所述電源電壓減去了閾值電壓的絕對值及過驅動電壓后的電壓的源 極電壓；
第二NMOS晶體管，該晶體管基于所述第一NMOS晶體管的源 極電壓而導通、截止；
第一恒流電路，該電路提供電流給所述第一PMOS晶體管；
第二恒流電路，該電路提供電流給所述第二PMOS晶體管及所 述第一NMOS晶體管；以及
第三恒流電路，該電路提供電流給所述第二NMOS晶體管。
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