[發(fā)明專利]含有數(shù)據(jù)線位元切換傳輸晶體管的位元線感測放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810132314.1
• 申請日: 2008-07-11
• 公開（公告）號: CN101329901A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 夏浚
• 申請（專利權）人: 鈺創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/409
• 分類號: G11C11/409
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 孫皓晨

1.一種包含有數(shù)據(jù)線位元切換傳輸晶體管的位元線感測放大器電路，用于隨機存取存儲器裝置中，其包含有：

一位元線感測放大器，包含有復數(shù)個第一MOS晶體管；

一對位元切換傳輸晶體管，作為場效晶體管開關，所述位元切換傳輸晶體管由第二MOS晶體管組成，其柵極氧化層厚度大于該第一MOS晶體管的柵極氧化層厚度；及

一對數(shù)據(jù)線，分別連接該對位元切換傳輸晶體管之一端，該對位元切換傳輸晶體管的另一端分別連接至該位元線感測放大器的連接點。

2.根據(jù)權利要求1所述的電路，其特征在于，該位元線感測放大器由一對PMOS晶體管及一對NMOS晶體管組成，各晶體管分別制作為該第一MOS晶體管，其承受的最高柵極電壓值為VCC，即核心電壓。

3.根據(jù)權利要求2所述的電路，其特征在于，該對位元切換傳輸晶體管是制作為NMOS晶體管，作為場效晶體管開關，其柵極由位元切換控制信號控制，并制作為該第二MOS晶體管型式，其承受最高柵極電壓值為一升壓電壓VPP，大于VCC。

4.根據(jù)權利要求1所述的電路，其特征在于，該對數(shù)據(jù)線連接至該對位元切換傳輸晶體管之一端，該對位元切換傳輸晶體管的另一端連接至該位元線感測放大器的連接點，位元線感測放大器包含有二PMOS晶體管及二NMOS晶體管，皆標示為BLSA晶體管以資區(qū)別，其中PMOS?BLSA晶體管的漏極分別連接NMOS?BLSA晶體管的漏極，并定義為連接點，其中數(shù)據(jù)線信號是由NMOS晶體管形成的場效晶體管開關分隔；BLSA晶體管的配置為PMOS?BLSA晶體管的源極共連接至一電壓信號供應，用以使能該位元線感測放大器，PMOS?BLSA晶體管的柵極交叉耦合至相對PMOS?BLSA晶體管的漏極；NMOS?BLSA晶體管的源極共連接至一接地端，其柵極亦交叉耦合至相對NMOS?BLSA晶體管的漏極；PMOS?BLSA晶體管的基板連接其源極，當接收到使能信號時，同時供應電源至該位元線感測放大器。

5.根據(jù)權利要求1所述的電路，其特征在于，該作為位元切換場效晶體管開關的第二MOS晶體管的柵極尺寸參數(shù)長寬比(W/L)₃₄＝Y₃₄是選擇遠小于位元線感測放大器中第一MOS晶體管的柵極尺寸參數(shù)(W/L)₁₂＝Y₁₂。

6.根據(jù)權利要求3所述的電路，其特征在于，該位元切換控制信號的最高電壓值VBS是選擇與位元切換傳輸晶體管承受的最高電壓VPP相等，并大于VCC。

7.根據(jù)權利要求1所述的電路，特征在于，所述電路是以標準CMOS技術制造。

8.一種包含有數(shù)據(jù)線位元切換傳輸晶體管的位元線感測放大器電路，用于隨機存取存儲器裝置中，包含有：

一位元線感測放大器，由一對PMOS晶體管及一對NMOS晶體管組成，各晶體管具有薄氧化層，所述各晶體管承受最高柵極電壓為核心電壓VCC；

一對位元切換傳輸晶體管，包含厚氧化層NMOS晶體管，作為場效晶體管開關，其柵極由一BS控制信號控制，其承受最高柵極電壓為一升壓電壓VPP，大于該VCC；及

一對數(shù)據(jù)線，連接至該對位元切換傳輸晶體管之一端，該對位元切換傳輸晶體管的另一端連接至該位元線感測放大器的連接點。

9.根據(jù)權利要求8所述的電路，其特征在于，該位元線感測放大器為一差動感測放大器。

10.根據(jù)權利要求8所述的電路，其特征在于，該位元線感測放大器為一鎖存感測放大器。

11.根據(jù)權利要求8所述的電路，其特征在于，該位元線感測放大器為電壓型感測放大器。

12.根據(jù)權利要求8所述的電路，其特征在于，該位元線感測放大器為電流型感測放大器。

13.根據(jù)權利要求8所述的電路，其特征在于，所述電路是以標準MOS技術制作。