[發(fā)明專利]用于讀取晶片表面上的識(shí)別標(biāo)記的方法和設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810129042.X
• 申請日: 2008-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN101334840A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木正治;大村昌良
• 申請（專利權(quán)）人: 雅馬哈株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G06K9/00
• 分類號(hào): G06K9/00;G06K9/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 葛青

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于讀取在晶片表面上形成的指示晶片標(biāo)號(hào)和批號(hào)的識(shí)別 標(biāo)記的方法和設(shè)備。

本申請要求日本專利申請No.2007-168303、No.2007-168304和No. 2007-168305的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容在此引入以作參考。

技術(shù)領(lǐng)域

在制造半導(dǎo)體裝置的工廠和制造點(diǎn)，儲(chǔ)存在容器中的多個(gè)晶片(捆扎成 制造批)在制造過程中的多個(gè)處理工序之間傳送。在晶片上進(jìn)行多個(gè)處理， 因此，每個(gè)晶片顯示代表裝置類型、型號(hào)、批號(hào)和晶片號(hào)的識(shí)別標(biāo)記，由此 避免由于復(fù)雜的處理造成晶片被錯(cuò)誤地識(shí)別。

傳統(tǒng)地，激光打標(biāo)機(jī)用于在晶片上形成識(shí)別標(biāo)記，其中標(biāo)記點(diǎn)一起形成， 以指示指定標(biāo)號(hào)和字符。識(shí)別標(biāo)記可在晶片背面形成，其中當(dāng)晶片的背面為 了傳送等目的而受到真空吸附時(shí)，在晶片的表面上會(huì)出現(xiàn)隆起部分。這會(huì)導(dǎo) 致光刻過程中的散焦和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP：chemical?mechanical?pollishing) 過程中的拋光失敗。為此，識(shí)別標(biāo)記通常在晶片的表面上形成。

為了在制造過程中確定晶片或晶片批次，識(shí)別標(biāo)記通過裝備有例如CCD 相機(jī)的讀取設(shè)備而被識(shí)別。用于讀取識(shí)別標(biāo)記的一些讀取設(shè)備裝備有用來把 晶片傳送到容器的傳送機(jī)器人。這使得可以按照識(shí)別標(biāo)記號(hào)的升序或降序?qū)? 晶片(被讀取設(shè)備確定)分類或排列進(jìn)入容器中。該技術(shù)已公開于各種文獻(xiàn) 中，例如專利文獻(xiàn)1，其教導(dǎo)了一種晶片的實(shí)體分配系統(tǒng)。

專利文獻(xiàn)1：日本未審專利申請公開號(hào)H05-147723。

前述的用于讀取在晶片上形成的識(shí)別標(biāo)記的讀取設(shè)備的問題在于：當(dāng)晶 片的表面被用覆蓋在識(shí)別標(biāo)記上的樹脂密封時(shí)，難以認(rèn)出該識(shí)別標(biāo)記。在半 導(dǎo)體裝置的制造過程中，提供晶片，然后晶片的表面用樹脂密封，該晶片表 面上形成有多個(gè)集成電路(IC)，其中形成再配線(re-wiring)，以在平頭電 極(pad?electrode)和集成電路之間建立電連接，由銅構(gòu)成的柱電極端子(或 金屬柱)在再配線上形成。在集成電路、再配線和金屬柱用樹脂密封前，操 作人員可以目視認(rèn)出在晶片表面上形成的識(shí)別標(biāo)記；然而，在密封后，識(shí)別 標(biāo)記完全被樹脂密封；因此，不能目視地確定晶片號(hào)和批號(hào)。

在制造過程中，識(shí)別標(biāo)記可在晶片切割之前或之后被讀取，其中切割帶 被貼附到晶片的背面，使得更難以讀取該識(shí)別標(biāo)記。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種用于讀取在用樹脂密封的晶片的表面上形成 的識(shí)別標(biāo)記的方法和設(shè)備。

本發(fā)明的另一目的是提供一種用于讀取在用樹脂密封且貼附有切割帶 的晶片的表面上形成的識(shí)別標(biāo)記的方法和設(shè)備。

在本發(fā)明的第一方面，實(shí)施一種用于讀取在用樹脂層密封的晶片的表面 上形成的識(shí)別標(biāo)記的方法，以使得沿不同方向彼此相交的多束紅外線從晶片 的背面朝向晶片的表面照射；多束紅外線穿透該晶片，以使得它們在樹脂層 和晶片的表面之間的界面處被反射；然后，接收一部分在該界面處反射的反 射線，該反射線沿指定方向傳播，以便拾取具有不規(guī)則構(gòu)造(或微凸起部和 凹進(jìn)部)的識(shí)別標(biāo)記的圖像。

此外，用于讀取在用樹脂層密封的晶片的表面上形成的識(shí)別標(biāo)記的識(shí)別 標(biāo)記讀取設(shè)備包括：多個(gè)紅外線單元，該單元從晶片的背面朝向晶片的表面 照射紅外線，其中該紅外線穿透該晶片；以及圖像拾取裝置，其接收在樹脂 層和晶片的表面之間的界面處反射的反射線，以便拾取具有不規(guī)則構(gòu)造(或 微凸起部和凹進(jìn)部)的識(shí)別標(biāo)記的圖像。

這里，從紅外線單元輸出的紅外線沿多個(gè)光軸傳播，該多個(gè)光軸沿相對 于晶片的表面的不同方向。此外，圖像拾取裝置接收一部分反射線，該反射 線在界面處沿相對于晶片的表面的指定方向反射。

如上所述，使用穿透晶片的紅外線，樹脂層和晶片的表面之間的界面被 照相，由此拾取包括識(shí)別標(biāo)記的界面的圖像。即使當(dāng)具有形成識(shí)別標(biāo)記的識(shí) 別標(biāo)記形成區(qū)域的晶片的表面用樹脂層密封，也可以可靠地讀取識(shí)別標(biāo)記。

晶片的除了識(shí)別標(biāo)記形成區(qū)域之外的表面是平表面，紅外線在該表面規(guī) 則地反射，換句話說，紅外線在該表面以和其入射角相同的角度反射。由于 在識(shí)別標(biāo)記形成區(qū)域形成的不規(guī)則構(gòu)造，紅外線在識(shí)別標(biāo)記形成區(qū)域不規(guī)則 地反射。