[發明專利]用于讀取晶片表面上的識別標記的方法和設備

無效

• 申請號: 200810129042.X
• 申請日: 2008-06-24
• 公開（公告）號: CN101334840A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 佐佐木正治;大村昌良
• 申請（專利權）人: 雅馬哈株式會社
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G06K9/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛青

1、一種用于讀取在用樹脂層密封的晶片的表面上形成的識別標記的方 法，包括步驟：

從所述晶片的背面朝向所述晶片的所述表面照射多束紅外線，所述紅外 線沿不同方向彼此相交；

使所述多束紅外線穿透所述晶片，以使得所述多束紅外線在所述樹脂層 和所述晶片的所述表面之間的界面處反射；和

接收一部分在所述界面處反射的反射線，該反射線沿指定方向傳播，由 此拾取具有不規則構造的所述識別標記的圖像。

2、如權利要求1所述的用于讀取在晶片的表面上形成的識別標記的方 法，其中所述多束紅外線沿多個光軸傳播，其相對于所述晶片的所述表面的 垂線成銳角地彼此相交。

3、如權利要求1所述的用于讀取在晶片的表面上形成的識別標記的方 法，其中所述多束紅外線沿多個光軸傳播，其在處于順著所述晶片的所述表 面的平面中以直角或鈍角彼此相交。

4、如權利要求1所述的用于讀取在晶片的表面上形成的識別標記的方 法，其中所述一部分在所述界面處反射的反射線沿所述指定方向傳播，其相 對于所述晶片的所述表面傾斜，由此拾取所述識別標記的所述圖像。

5、如權利要求1所述的用于讀取在晶片的表面上形成的識別標記的方 法，其中所述識別標記包括每一個都通過長度和寬度限定的多個細線段，且 其中每個線段包括在所述晶片的所述表面上形成的凹痕。

6、一種用于讀取在用樹脂層密封的晶片的表面上形成的識別標記的識 別標記讀取設備，包括：

多個紅外線單元，用于從所述晶片的背面朝向所述晶片的所述表面照射 紅外線，其中所述紅外線穿透所述晶片；和

圖像拾取裝置，用于接收在所述樹脂層和所述晶片的所述表面之間的界 面處反射的反射線，由此拾取具有不規則構造的所述識別標記的圖像，

其中從所述紅外線單元輸出的紅外線沿多個光軸傳播，所述多個光軸沿 相對于所述晶片的所述表面的不同方向，并且

其中所述圖像拾取裝置接收一部分反射線，該部分反射線在所述界面處 沿相對于所述晶片的所述表面的指定方向反射。

7、如權利要求6所述的識別標記讀取設備，其中從所述紅外線單元輸 出的紅外線的光軸每一個都相對于所述晶片的所述表面的垂線成銳角傾斜。

8、如權利要求6所述的識別標記讀取設備，其中從所述紅外線單元輸 出的紅外線的光軸在處于順著所述晶片的所述表面的平面中成直角或鈍角 地彼此交叉。

9、如權利要求6所述的識別標記讀取設備，其中從所述紅外線單元輸 出的紅外線的光軸每一個都相對于所述晶片的所述表面的垂線傾斜。

10、一種用于讀取在用樹脂層密封的晶片的表面上形成的識別標記的識 別標記讀取設備，包括：

用于安裝所述晶片的平臺；

至少一個紅外線單元，用于從所述晶片的背面向所述晶片的所述表面照 射紅外線，其中所述平臺允許所述紅外線和反射線穿透；

圖像拾取裝置，用于接收相應于在所述樹脂層和所述晶片的所述表面之 間的界面處反射的紅外線的反射線，由此拾取具有不規則構造的所述識別標 記的圖像；和

光透射限制器，用于限制射線穿過其透射，其中所述光透射限制器定位 在所述平臺和所述紅外線單元之間或所述平臺和所述圖像拾取裝置之間，由 此減少在所述晶片除了所述識別標記之外的所述表面處反射且隨后被所述 圖像拾取裝置接收的反射線的量。

11、如權利要求10所述的識別標記讀取設備，其中所述光透射限制器 是偏光器，用于減少所述紅外線中的S偏光成分。

12、如權利要求11所述的識別標記讀取設備，其中所述偏光器定位在 所述平臺和所述紅外線單元之間。

13、如權利要求11所述的識別標記讀取設備，其中所述偏光器定位在 所述平臺和所述圖像拾取裝置之間。

14、如權利要求11所述的識別標記讀取設備，其中所述偏光器連接到 所述平臺，所述平臺的材料允許所述紅外線穿透。