[發明專利]檢測裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 200810127114.7 | 申請日: | 2008-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN101330089A | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發明(設計)人: | 神田榮二;野澤陵一 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 雒運樸;李偉 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 以及 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及檢測裝置以及搭載了該檢測裝置的電子設備。
背景技術
作為在2維傳感器、圖像傳感器、光學式觸摸傳感器等當中使用的 檢測裝置之一,公知有如下的檢測裝置。該檢測裝置構成為,具有作為 檢測元件的光電轉換元件、按照該光電轉換元件的受光量改變蓄積電荷 量的電容元件、和晶體管,并且通過晶體管的導通/截止動作,讀出電 容元件中的電荷蓄積量(例如,參照專利文獻1)。
另外,在上述結構中,如果把光電轉換元件置換成蓄積電容,則上 述電容元件的蓄積電荷量,根據該蓄積電容容量的外界因素的增減而變 化。作為檢測裝置,也可以采用使用蓄積電容作為檢測元件的結構。
[專利文獻1]特開平4-212458號公報
上述的檢測裝置,越高密度地配置檢測元件,其檢測分辨率越高。 但是,高密度地配置晶體管、和與晶體管的端子連接的布線等各種構成 要素,會帶來晶體管的特性惡化、使特性差異增大的問題。或者因布線 構造復雜而造成信號延遲、成品率下降的問題。
發明內容
本發明就是為了解決上述問題的至少一部分而提出的,能夠以如下的 方式或應用例來實現。
[應用例1]一種檢測裝置,具有:基板;配置在上述基板上的多條掃 描線、多條檢測線、多條第1電源線、多條第2電源線;以及對應于上述 掃描線與上述檢測線的交叉點而設置的多個單位電路,上述單位電路具 有:第1晶體管,其第1端子與上述檢測線連接,第2端子與上述第1電 源線連接,并且向上述檢測線供給與柵電極的電位對應的檢測信號;檢測 元件,其與上述第1晶體管的柵電極連接,使上述第1晶體管的柵極電位 按照外界因素變化;第2晶體管,其第1端子與上述第1晶體管的柵電極 連接,第2端子與上述第2電源線連接,并且柵電極與上述掃描線連接; 以及第1電容元件,其保持上述第1晶體管的柵極電位,上述掃描線形成 在與上述第1晶體管的柵電極和上述第2晶體管的柵電極不同的層中,并 且被配置成:在俯視情況下與上述第2晶體管的柵電極的至少一部分重疊。
根據這樣的結構,由于第1晶體管向檢測線輸出與外界因素對應大小 的電流,所以通過順序檢測出由掃描線選擇的單位電路的上述電流,可檢 測出外界因素。這里,由于掃描線形成在與柵電極不同的層中,并且被配 置成從第2晶體管的柵電極的上方通過,所以可高密度地配置單位電路。 在上述說明中,所謂“俯視情況下”是指“從基板的法線方向進行觀察” 的意思。在上述結構中,也可以把第1電源線和第2電源線電連接。即, 也可以共用第1電源線和第2電源線。這樣,可簡化檢測裝置的電路結構。 而且,可簡化單位電路的層結構以及實現單位電路的高密度化。
[應用例2]在上述檢測裝置中,掃描線和上述第2晶體管的柵電極, 在上述第2晶體管的柵電極上,通過在上述基板的法線方向所形成的接觸 孔電連接。
根據這樣的結構,由于掃描線在基板的法線方向與柵電極連接,所以 不需要用于掃描線與第2晶體管之間的連接布線的區域。因此,可高密度 地配置單位電路。
[應用例3]在上述檢測裝置中,上述第1晶體管的溝道區域和上述第 2晶體管的溝道區域被配置成相對上述掃描線的延伸方向具有一定的角 度,上述掃描線被配置成在俯視情況下橫跨上述第1晶體管的溝道區域和 上述第2晶體管的溝道區域。
根據這樣的結構,可高密度地配置單位電路。
[應用例4]在上述檢測裝置中,上述檢測線和上述第2電源線形成在 不同的層中,上述檢測線被配置成在俯視情況下沿著上述第2電源線的延 伸方向延伸,并且其至少一部分與上述第2電源線重疊。
根據這樣的結構,由于能夠以較小的面積配置檢測線和第2電源線, 所以可縮小單位電路在行方向的配置間隔,從而可高密度地形成單位電 路。另外,在上述的結構中,也可以把第1電源線和第2電源線電連接。 即,也可以共用第1電源線和第2電源線。這樣,可簡化檢測裝置的電路 結構。而且,可簡化單位電路的層結構以及實現單位電路的高密度化。
[應用例5]在上述檢測裝置中,上述單位電路的行中沿著相鄰的上述 行配置的2條上述第1電源線,形成在相互不同的層中。
根據這樣的結構,能夠把第1電源線在俯視情況下配置在接近的位置。 因此,可縮小在列方向上的單位電路的配置間隔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





