[發明專利]檢測裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 200810127114.7 | 申請日: | 2008-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN101330089A | 公開(公告)日: | 2008-12-24 |
| 發明(設計)人: | 神田榮二;野澤陵一 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 雒運樸;李偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種檢測裝置,具有:基板;配置在上述基板上的多條掃描線、 多條檢測線、多條第1電源線、多條第2電源線;以及對應于上述掃描 線與上述檢測線的交叉點而設置的多個單位電路,其特征在于,
上述單位電路具有:
第1晶體管,其第1端子與上述檢測線連接,第2端子與上述第1 電源線連接,并且向上述檢測線供給與柵電極的電位對應的檢測信號;
檢測元件,其由光電二極管或第二電容元件構成,并與上述第1晶 體管的柵電極連接,按照上述光電二極管的入射光的光量或蓄積在上述 第二電容元件中的電荷量使上述第1晶體管的柵極電位變化;
第2晶體管,其第1端子與上述第1晶體管的柵電極連接,第2端 子與上述第2電源線連接,并且柵電極與上述掃描線連接;以及
第1電容元件,其保持上述第1晶體管的柵極電位,
上述掃描線,形成在與上述第1晶體管的柵電極和上述第2晶體管 的柵電極不同的層中,并且被配置為在俯視情況下與上述第2晶體管的 柵電極的至少一部分重疊。
2.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述掃描線和上述第2晶體管的柵電極,在上述第2晶體管的柵電 極上,通過在上述基板的法線方向所形成的接觸孔電連接。
3.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1晶體管的溝道區域和上述第2晶體管的溝道區域被配置成 相對上述掃描線的延伸方向具有一定的角度,
上述掃描線被配置為在俯視情況下橫跨上述第1晶體管的溝道區域 和上述第2晶體管的溝道區域。
4.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述檢測線和上述第2電源線形成在不同的層中,
上述檢測線被配置成在俯視情況下沿著上述第2電源線的延伸方向 延伸,并且其至少一部分與上述第2電源線重疊。
5.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述單位電路的行中沿著相鄰的上述行配置的2條上述第1電源 線,形成在相互不同的層中。
6.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1晶體管其溝道長度的方向,是沿著上述第2晶體管的溝道 長度方向延伸的方向。
7.根據權利要求6所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1晶體管和上述第2晶體管,被配置成其溝道長度方向在俯 視情況下與上述掃描線的延伸方向和上述檢測線的延伸方向交叉。
8.根據權利要求6所述的檢測裝置,其特征在于,
在俯視情況下沿著上述掃描線的延伸方向配置有上述第1晶體管的 第1端子和上述第2晶體管的第1端子,在俯視情況下沿著上述掃描線 的延伸方向配置有上述第1晶體管的第2端子和上述第2晶體管的第2 端子。
9.根據權利要求6所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1晶體管和上述第2晶體管其溝道長度方向在俯視情況下與 上述掃描線的延伸方向垂直。
10.根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1電容元件具有第1電極和第2電極,
上述第1晶體管的溝道區域和上述第2晶體管的溝道區域,在俯視 情況下被上述第1電極和上述第2電極中的至少一方所覆蓋。
11.根據權利要求10所述的檢測裝置,其特征在于,
上述第1電極被兼用作上述檢測元件的電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





