[發明專利]柵層的制造方法有效
| 申請號： | 200810118404.5 | 申請日： | 2008-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN101651096A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發明（設計）人： | 何永根;戴樹剛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 100176北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 方法 | ||
1.一種柵層的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有多晶硅層的襯底；
執行等離子體摻雜工藝，在所述多晶硅層中摻入氮摻雜；
執行離子注入摻雜工藝，在所述多晶硅層中摻入減小該多晶硅層電阻率的雜質；
對已執行所述的等離子體摻雜和離子注入摻雜的多晶硅層執行退火工藝。
2.如權利要求1所述的柵層的制造方法，其特征在于：先執行所述等離子體摻雜工藝的步驟，再執行所述離子注入摻雜工藝的步驟；或者先執行所述離子注入摻雜工藝的步驟，再執行所述等離子體摻雜工藝的步驟。
3.如權利要求1所述的柵層的制造方法，其特征在于：若先執行所述等離子體摻雜工藝的步驟，再執行所述離子注入摻雜工藝的步驟；則在所述等離子體摻雜工藝的步驟和所述離子注入摻雜工藝的步驟之間，還包括對所述多晶硅層執行氮摻雜后熱處理的步驟。
4.如權利要求1或2或3所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述等離子體摻雜工藝為去耦等離子體氮處理工藝、低溫等離子體氮處理工藝或遠程等離子體氮處理工藝。
5.如權利要求4所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述等離子體摻雜工藝中反應氣體為N2、N2O、NO或NH3中的一種或組合。
6.如權利要求5所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述反應氣體中還摻有惰性氣體。
7.如權利要求5所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述等離子體摻雜工藝反應氣體為N2，其中所述N2的流量為200sccm至500sccm。
8.如權利要求1至3或5至7任一權利要求所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述退火工藝為快速熱退火或爐管退火，退火溫度為1000℃至1100℃。
9.如權利要求1至3或5至7任一權利要求所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述的減小該多晶硅層電阻率的雜質為磷或砷或硼。
10.一種柵層的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成多晶硅層，并原位對所述多晶硅層執行離子注入摻雜工藝，在所述多晶硅層中摻入減小該多晶硅層電阻率的雜質；
執行等離子體摻雜工藝，在所述多晶硅層中摻入氮摻雜；
對已執行所述的等離子體摻雜工藝的多晶硅層執行退火工藝。
11.如權利要求10所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述等離子體摻雜工藝為去耦等離子體氮處理工藝、低溫等離子體氮處理工藝或遠程等離子體氮處理工藝。
12.如權利要求11所述的柵層的制造方法，其特征在于：所述等
離子體摻雜工藝中反應氣體為N2、N2O、NO或NH3中的一種或組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
