[發(fā)明專利]一種提高氧化鋅薄膜紫外光致發(fā)光強(qiáng)度的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810111675.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101281949A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣毅堅(jiān);趙艷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L21/428;H01S5/00 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張慧 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 氧化鋅 薄膜 紫外 光致發(fā)光 強(qiáng)度 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域,具體涉及一種提高氧化鋅薄膜紫外光致發(fā)光強(qiáng)度的方法。
背景技術(shù)
回顧半導(dǎo)體的發(fā)展歷程,隨著不同時(shí)期新材料的出現(xiàn),半導(dǎo)體材料的應(yīng)用先后出現(xiàn)了幾次飛躍,從硅材料到砷化鎵,再到近年來(lái)新一代的寬帶半導(dǎo)體材料,由于其特殊性質(zhì)和潛在應(yīng)用前景使得寬帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注,而氧化鋅又是寬帶半導(dǎo)體材料中的研究熱點(diǎn)。氧化鋅是直接帶隙寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,室溫下的禁帶寬度為3.37eV,在紫外光探測(cè)和發(fā)射方面具有很好的應(yīng)用潛力。氧化鋅最吸引人的特點(diǎn)是它的激子束縛能特別大,為60meV,比室溫?zé)犭x化能26meV大得多。如此大的束縛能使得激子在室溫下不易被熱激發(fā),理論上保證了氧化鋅在室溫下可以產(chǎn)生高效率的激子發(fā)射。因此,寬禁帶和高激子結(jié)合能使得氧化鋅具備了室溫下紫外光發(fā)射的有利條件,是制備光電子器件的優(yōu)良材料,尤其在紫外探測(cè)、LED、LD等領(lǐng)域極具開(kāi)發(fā)和應(yīng)用的價(jià)值。
隨著納米技術(shù)和薄膜外延技術(shù)的發(fā)展,同時(shí)也是為了滿足器件微型化的要求,1997年日本和香港的科學(xué)家首次報(bào)道了氧化鋅薄膜室溫下的紫外光致發(fā)光和光泵浦激光,此后,氧化鋅薄膜迅速成為半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域研究的新熱點(diǎn)。眾多科學(xué)工作者圍繞氧化鋅薄膜開(kāi)展了大量工作,其最終目的是氧化鋅基光電器件的實(shí)現(xiàn),而提高氧化鋅薄膜室溫下的紫外光致發(fā)光性能無(wú)疑是首要的任務(wù)。目前,一般采用改善薄膜生長(zhǎng)工藝以及后退火處理來(lái)提高氧化鋅薄膜的結(jié)晶質(zhì)量,從而增加其紫外光致發(fā)光強(qiáng)度。但是,上述方法工藝流程復(fù)雜,不易控制,而且耗時(shí)較長(zhǎng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種方便快捷的提高氧化鋅薄膜室溫下光致發(fā)光性能的方法。
本發(fā)明采用準(zhǔn)分子激光器作為高能輻照源,控制激光輸出能量密度,從而控制氧化鋅薄膜的紫外光致發(fā)光強(qiáng)度,具體包括以下步驟:
1)氧化鋅薄膜的預(yù)處理;
2)將預(yù)處理后的氧化鋅薄膜固定在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)上,設(shè)定電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為10~40°/s;
3)選擇準(zhǔn)分子激光波長(zhǎng)248nm,設(shè)置脈沖頻率為1~5Hz;
4)調(diào)整光路,使得光斑位于薄膜樣品中心,調(diào)節(jié)輻照在薄膜樣品上的激光光斑大小和激光輸出能量,使作用于薄膜樣品上的激光功率密度為250~650mJ/cm2;
5)薄膜樣品固定在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)時(shí),薄膜樣品和激光的位置均在轉(zhuǎn)臺(tái)的中心,設(shè)定激光脈沖數(shù)為30~100,轉(zhuǎn)動(dòng)樣品轉(zhuǎn)臺(tái),激光輻照,脈沖輸出停止后,停止轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng),結(jié)束輻照。
其中,步驟4)中作用于薄膜樣品上的激光功率密度優(yōu)選450mJ/cm2。
本發(fā)明所用的氧化鋅薄膜為實(shí)售商品或可通過(guò)常規(guī)方法制得的氧化鋅薄膜;本發(fā)明所用的激光器為L(zhǎng)ambda?Physik?LPX305iF型KrF準(zhǔn)分子激光器,激發(fā)波長(zhǎng)248nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:
1)時(shí)間短,最少激光作用幾秒鐘時(shí)間就可大幅度增加氧化鋅薄膜的紫外光致發(fā)光強(qiáng)度。
2)可控性強(qiáng),重復(fù)性高。通過(guò)控制激光輻照功率密度,可以調(diào)控氧化鋅薄膜紫外光致發(fā)光強(qiáng)度。
3)操作簡(jiǎn)單,在常溫空氣下進(jìn)行制備操作。
附圖說(shuō)明
圖1、氧化鋅薄膜室溫下的紫外光致發(fā)光光譜。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所提供的激光輻照提高氧化鋅薄膜紫外光致發(fā)光強(qiáng)度的方法在常溫空氣氣氛下進(jìn)行。采用JY?HR800型顯微拉曼光譜儀測(cè)試激光輻照前后氧化鋅薄膜的紫外光致發(fā)光光譜,測(cè)量結(jié)果見(jiàn)表1,電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)動(dòng)方式為一維轉(zhuǎn)動(dòng)。
對(duì)比例
1)氧化鋅薄膜的預(yù)處理:將氧化鋅薄膜依次用乙醇和去離子水各超聲清洗15min后,用吹風(fēng)機(jī)去除表面的水珠,以保證薄膜的表面潔凈,無(wú)污染;
2)激光輻照:激光輻照功率密度為0,即氧化鋅薄膜沒(méi)有經(jīng)過(guò)準(zhǔn)分子激光輻照。
實(shí)施例1
1)氧化鋅薄膜的預(yù)處理:同對(duì)比例中的步驟1);
2)激光輻照:將預(yù)處理后的氧化鋅薄膜固定在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)中心位置,設(shè)定電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為10°/s,選擇波長(zhǎng)248nm的KrF準(zhǔn)分子激光,設(shè)置脈沖頻率為5Hz,調(diào)整光路,調(diào)節(jié)輻照在樣品上的激光光斑大小并使得光斑位于樣品中心,調(diào)節(jié)激光輸出能量,使能量密度為250mJ/cm2,設(shè)定脈沖數(shù)為100,轉(zhuǎn)動(dòng)樣品轉(zhuǎn)臺(tái),激光輻照,脈沖輸出停止后結(jié)束輻照。
實(shí)施例2
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





