[發(fā)明專(zhuān)利]電子元件封裝體及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810109132.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101587903A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林佳升;黃郁庭;賴(lài)志隆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

1.一種電子元件封裝體，包含：

半導(dǎo)體芯片，具有基底；

支撐塊，與該基底間隔一既定距離；以及

接合墊，具有一表面，其橫跨于該基底與該支撐塊上。

2.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，其中該支撐塊與該基底共平面。

3.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，還包含絕緣層，位于該支撐塊與該基底之間，以隔離該基底與該支撐塊，且該接合墊橫跨于該絕緣層上。

4.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，其中該支撐塊與該基底由相同材料構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求4所述的電子元件封裝體，其中該支撐塊由硅材料構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，還包含導(dǎo)線(xiàn)層，與該支撐塊及該接合墊的側(cè)面接觸。

7.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，還包含封裝層，覆蓋該半導(dǎo)體芯片及該支撐塊。

8.如權(quán)利要求7所述的電子元件封裝體，其中該封裝層與該半導(dǎo)體芯片及該支撐塊之間還包含間隔層。

9.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體，其為背光式影像感測(cè)元件封裝體，包含：

以該半導(dǎo)體芯片的基底作為第一基底，其具有受光面及背光面，且該背光面包含感光元件區(qū)；

第二基底，接合至該第一基底的背光面；

第一封裝層，覆蓋該第一基底的受光面；

第二封裝層，覆蓋該第二基底；

導(dǎo)線(xiàn)層，形成于該第二封裝層上，且延伸至該接合墊及該支撐塊的側(cè)面上，以電性連接該接合墊；以及

導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二封裝層上，且電性連接該導(dǎo)線(xiàn)層。

10.一種電子元件封裝體的制作方法，包括：

提供晶片，具有包含多個(gè)管芯區(qū)的基底，以承載或形成多顆半導(dǎo)體芯片，且多個(gè)接合墊形成于該基底上；以及

對(duì)該基底實(shí)施晶片級(jí)封裝工藝，其包含：

圖案化該基底以于每個(gè)管芯區(qū)隔離出支撐塊，以使該支撐塊與該基底間隔一既定距離，且暴露該接合墊。

11.如權(quán)利要求10所述的電子元件封裝體的制作方法，其中該基底包含第一表面及相對(duì)的第二表面，這些接合墊形成于該基底的第一表面上，且該基底的第二表面被圖案化以隔離出該支撐塊，并形成圖案化開(kāi)口以暴露出該接合墊。

12.如權(quán)利要求11所述的電子元件封裝體的制作方法，其中這些半導(dǎo)體芯片包含光電元件，且該晶片級(jí)封裝還包含：

以該基底為第一基底，且以該第一表面為背光面，及該相對(duì)的第二表面為出光面或受光面；

設(shè)置第一封裝層，以覆蓋該第一基底的出光面或受光面；

接合該第一基底的背光面至第二基底上；以及

沿著兩管芯區(qū)間的預(yù)定切割道的位置，分離該第二基底，以形成多個(gè)對(duì)應(yīng)管芯區(qū)的承載板。

13.如權(quán)利要求12所述的電子元件封裝體的制作方法，其中該晶片級(jí)封裝工藝還包含：

形成絕緣層，以至少包覆這些承載板的側(cè)面；

設(shè)置第二封裝層，以覆蓋該第二基底及該絕緣層；

于兩管芯區(qū)間的該預(yù)定切割道的位置形成通道凹口；

形成導(dǎo)線(xiàn)層于該第二封裝層上，且沿著該通道凹口延伸至該接合墊與該支撐塊的側(cè)面上，以電性連接該接合墊；

設(shè)置導(dǎo)電凸塊于該第二封裝層上，且電性連接該導(dǎo)線(xiàn)層；以及

沿該預(yù)定切割道分離該第一封裝層。