[發明專利]接觸洞布局結構

有效

• 申請號: 200810108799.0
• 申請日: 2008-06-02
• 公開（公告）號: CN101599478A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 王文潔
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種接觸洞布局結構，包含有：

一基底，該基底上定義有至少一第一區域；

多組第一接觸洞布局，沿一預定方向設置于該第一區域內，且各該組第 一接觸洞布局分別包含有：

二個正方形接觸洞單元；以及

二個相鄰的長方形接觸洞單元，設置于該二個正方形接觸洞單元之 間，其中各該長方形接觸洞單元的一長邊垂直于該預定方向；以及 多個第二接觸洞布局，設置于該第一區域內。

2.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中該第一區域包含有一密集 圖案區域。

3.如權利要求2所述的接觸洞布局結構，其中該第一區域包含一靜態隨 機存取存儲器區。

4.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中該基底還包含有至少一第 二區域，且該第二區域為一疏離圖案區域。

5.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中該預定方向為一X軸方 向。

6.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中該預定方向為一Y軸方 向。

7.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中該二個正方形接觸洞單元 的一中心點連線平行于該二個長方形接觸洞單元的一中心點連線。

8.如權利要求7所述的接觸洞布局結構，其中該二個長方形接觸洞單元 的該中心點連線與該二個正方形接觸洞單元的該中心點連線重疊上。

9.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中各該長方形接觸洞單元的 一長寬比范圍為1∶1.8～1∶1.2。

10.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中各該長方形接觸洞單元 與各該正方形接觸洞單元的一面積比范圍為1∶0.8～1∶1.2。

11.如權利要求1所述的接觸洞布局結構，其中這些第二接觸洞布局分 別包含有一正方形接觸洞布局。

12.一種接觸洞布局結構，包含有：

一基底；

至少一第一區域，定義于該基底上，且該第一區域包含有多個有源區域 與多個柵極線區域；

多個正方形接觸洞單元，分別設置于該第一區域內的這些有源區域上； 以及

多個長方形接觸洞單元，分別設置于該第一區域內的這些柵極線區域 上，其中這些長方形接觸洞單元的一長邊平行于該柵極線區域的一延伸方 向。

13.如權利要求12所述的接觸洞布局結構，其中該第一區域包含有一密 集圖案區域。

14.如權利要求13所述的接觸洞布局結構，其中該第一區域包含一靜態 隨機存取存儲器區。

15.如權利要求12所述的接觸洞布局結構，其中該長方形接觸洞單元的 一長寬比范圍為1∶1.8～1∶1.2。

16.如權利要求12所述的接觸洞布局結構，其中該長方形接觸洞單元與 該正方形接觸洞單元的一面積比范圍為1∶0.8～1∶1.2。