[發明專利]氮化硅膜的干刻蝕方法有效
| 申請號： | 200810099859.7 | 申請日： | 2008-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN101315891A | 公開（公告）日： | 2008-12-03 |
| 發明（設計）人： | 登坂久雄 | 申請（專利權）人： | 卡西歐計算機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 刻蝕 方法 | ||
1.一種氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，通過采用含有惰性氣體、氟氣及氧氣的混合氣體的反應性離子刻蝕來對形成在非晶硅膜上的氮化硅膜進行干刻蝕，其中所述惰性氣體是氮、氦或氖中的任一種。
2.根據權利要求1所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣與所述氟氣的流量比為0.5～20。
3.根據權利要求1所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣與所述氟氣的流量比為1～4。
4.根據權利要求1所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，干刻蝕在1～100Pa的真空氣氛下進行。
5.一種氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，包括以下工序：
在基板上形成本征非晶硅膜，在所述本征非晶硅膜上形成由氮化硅膜構成的被加工物；
將被加工物搬入到高頻電極及對置電極被平行配置的平行平板型的干刻蝕裝置內，將所述被加工物的基板載置在所述高頻電極上；
將所述干刻蝕裝置減壓，向所述干刻蝕裝置內導入惰性氣體、氟氣及氧氣，其中所述惰性氣體是氮、氦或氖中的任一種；
對所述高頻電極施加高頻，從而刻蝕所述氮化硅膜。
6.根據權利要求5所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣與所述氟氣的流量比為0.5～20。
7.根據權利要求5所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣與所述氟氣的流量比為1～4。
8.根據權利要求5所述的氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，干刻蝕在1～100Pa的真空氣氛下進行。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
