[發明專利]氮化硅膜的干刻蝕方法

有效

• 申請號: 200810099859.7
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN101315891A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 登坂久雄
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳建全

技術領域

本發明涉及氮化硅膜的干刻蝕方法。

背景技術

例如，以往的薄膜晶體管有逆交錯型、溝道保護膜型的薄膜晶體管(例如，參照專利文獻1)。在此種情況下，作為溝道保護膜的形成方法是，首先，在形成的本征非晶硅膜的上表面形成由氮化硅構成的溝道保護膜形成用膜。然后，在溝道保護膜形成用膜的上表面布圖形成抗蝕劑膜。接著，采用SF6(六氟化硫)氣體和氧氣的混合氣體作為刻蝕氣體，將抗蝕劑膜下以外的區域上的溝道保護膜形成用膜進行干刻蝕而除去，則可在抗蝕劑膜下形成溝道保護膜。

專利文獻1：日本特開平11-274143號公報

這樣的干刻蝕方法所使用的刻蝕氣體中的SF6近年來作為地球變暖的一個因素而被視為問題，因此取代其的代替氣體的選擇成為重要的課題。

發明內容

因此，本發明的主要目的是，提供一種不采用SF6等成為地球變暖的一個因素的氣體，也能良好地對氮化硅膜進行干刻蝕的氮化硅膜的干刻蝕方法。

本發明的優選的方案是氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，通過采用含有氟氣(fluorine?gas)和氧氣的混合氣體的反應性離子刻蝕來對氮化硅膜進行干刻蝕。

另外，本發明的優選的方案之一是氮化硅膜的干刻蝕方法，其特征在于，包括以下工序：準備在基板上層疊有氮化硅膜的被加工物；將被加工物搬入到高頻電極及對置電極被平行配置的平行平板型的干刻蝕裝置內，將所述被加工物的基板載置在所述高頻電極上；將所述干刻蝕裝置減壓，向所述干刻蝕裝置內導入氟氣及氧氣；對所述高頻電極施加高頻，從而刻蝕所述氮化硅膜。

附圖說明

圖1是利用包含本發明的干刻蝕方法的制造方法來制造的薄膜晶體管面板的一個例子的剖視圖。

圖2是在圖1所示的薄膜晶體管面板的制造方法的一個例子中最初的工序的剖視圖。

圖3是繼圖2之后的工序的剖視圖。

圖4是繼圖3之后的工序的剖視圖。

圖5是繼圖4之后的工序的剖視圖。

圖6是繼圖5之后的工序的剖視圖。

圖7是RIE裝置的一個例子的概略構成圖。

具體實施方式

圖1是利用包含本發明的干刻蝕方法的制造方法來制造的薄膜晶體管面板的一個例子的剖視圖。該薄膜晶體管面板具備玻璃基板1。在玻璃基板1的上表面的規定部位上設有由鉻等構成的柵電極2。在包含柵電極2在內的玻璃基板1的上表面設有由氮化硅構成的柵絕緣膜3。

在柵電極2上的柵絕緣膜3的上表面的規定部位上設有由本征非晶硅構成的半導體薄膜4。在半導體薄膜4的上表面的規定部位上設有由氮化硅構成的溝道保護膜5。在溝道保護膜5的上表面兩側及其兩側的半導體薄膜4的上表面設有由n型非晶硅構成的歐姆接觸層6、7。在歐姆接觸層6、7的各自上表面設有由鉻等構成的源電極8及漏電極9。

此處，通過柵電極2、柵絕緣膜3、半導體薄膜4、溝道保護膜5、歐姆接觸層6、7、源電極8及漏電極9來構成逆交錯型、溝道保護膜型的薄膜晶體管10。

在包含薄膜晶體管10在內的柵絕緣膜3的上表面設有由氮化硅構成的罩面涂膜11。在與源電極8的規定部位對應的部分的罩面涂膜11上設有接觸孔12。在罩面涂膜11的上表面的規定部位上設有由ITO構成的像素電極13，其經由接觸孔12與源電極8連接。

接著，對該薄膜晶體管面板的制造方法的一個例子進行說明。首先，如圖2所示，在玻璃基板1的上表面的規定部位，通過用光刻蝕法對由濺射法形成的由鉻等構成的金屬膜進行布圖加工(patterning)，從而形成柵電極2。

接著，在包含柵電極2在內的玻璃基板1的上表面上，利用等離子體CVD法連續地形成由氮化硅構成的柵絕緣膜3、本征非晶硅膜(半導體薄膜形成用膜)21及氮化硅膜(溝道保護膜形成用膜)22。然后，在氮化硅膜22的上表面的溝道保護膜形成區域，通過用光刻蝕法對用印刷法等涂布形成的抗蝕劑膜進行布圖加工，從而形成抗蝕劑膜23。

接著，當以抗蝕劑膜23作為掩模，對氮化硅膜22進行如后所述那樣的干刻蝕，則可將抗蝕劑膜23下以外的區域上的氮化硅膜22除去，從而如圖3所示，在抗蝕劑膜23下形成溝道保護膜5。然后，剝離抗蝕劑膜23。

接著，如圖4所示，在包含溝道保護膜5在內的本征非晶硅膜21的上表面上，利用等離子體CVD法形成n型非晶硅膜(歐姆接觸層形成用膜)24。然后，在n型非晶硅膜24膜的上表面，利用濺射法形成由鉻等構成的源電極及漏電極形成用膜25。