[發(fā)明專利]在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810099850.6
• 申請日: 2008-05-26
• 公開（公告）號: CN101281883A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王盟仁
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸嘉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法，詳言之，是關(guān)于一種利用聚合物在基材上穿導(dǎo)孔的側(cè)壁形成絕緣層的方法。

背景技術(shù)

參考圖1至圖3，顯示習(xí)知在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法的示意圖。首先，參考圖1，提供一基材1，該基材1具有一第一表面11及一第二表面12。接著，于該基材1的第一表面11上形成數(shù)個(gè)溝槽13。接著，利用化學(xué)氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition，CVD)形成一絕緣層14于所述溝槽13的側(cè)壁，且形成數(shù)個(gè)容置空間15。該絕緣層14的材質(zhì)通常為二氧化硅。

接著，參考圖2，填入一導(dǎo)電金屬16于所述容置空間15內(nèi)。該導(dǎo)電金屬的材質(zhì)通常為銅。最后，研磨或蝕刻該基材1的第一表面11及第二表面12，以顯露該導(dǎo)電金屬16，如圖3所示。

在該習(xí)知的方法中，由于該絕緣層14是利用化學(xué)氣相沉積法所形成，因此該絕緣層14在所述溝槽13的側(cè)壁的厚度會有先天上的限制，通常小于0.5μm。此外，該絕緣層14在所述溝槽13的側(cè)壁的厚度會有不均勻的問題，亦即，位于所述溝槽13上方側(cè)壁上的絕緣層14的厚度與位于所述溝槽13下方側(cè)壁上的絕緣層14的厚度并不會完全一致。因而造成電容不一致的情況。

因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具進(jìn)步性的在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法，包括以下步驟：(a)提供一基材，該基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一開槽于該基板；(c)填入一導(dǎo)電金屬于該開槽內(nèi)；(d)移除位于該導(dǎo)電金屬外圍的部分基材，且保留該導(dǎo)電金屬，使得該導(dǎo)電金屬與該基材之間形成一容置空間；(e)形成一絕緣材料于該容置空間；及(f)去除部分該基材的第二表面，以顯露該導(dǎo)電金屬及該絕緣材料。

在本發(fā)明中，可以在該容置空間內(nèi)形成較厚的絕緣材料。再者，該絕緣材料在該容置空間內(nèi)并不會有厚度不均勻的問題。此外，本發(fā)明可以利用聚合物作為絕緣材料，因而可以針對特定的制程選用不同的聚合物材質(zhì)。

附圖說明

圖1至圖3顯示習(xí)知在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法的示意圖；

圖4至圖19顯示本發(fā)明在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法的第一實(shí)施例的示意圖；及

圖20至圖27顯示本發(fā)明在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法的第二實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

參考圖4至圖19，顯示本發(fā)明在基材上形成穿導(dǎo)孔的方法的第一實(shí)施例的示意圖。參考圖4及圖5，其中圖4為基材的俯視圖，圖5為圖4中沿著線5-5的剖面圖。首先，提供一基材2，該基材2具有一第一表面21及一第二表面22。該基材2舉例而言，為一硅基材或一晶片。接著，形成一第一光阻層23于該基材2的第一表面21，且于該光阻層23上形成一第一開口231。在本實(shí)施例中，該第一開口231以俯視觀的為圓形。可以理解的是，該第一開口231以俯視觀的也可以是方形。

接著，參考圖6，以蝕刻或其它方式根據(jù)該第一開口231于該基材2上形成一開槽24，且該開槽24并未貫穿該基材2。之后，移除該第一光阻層23。接著，參考圖7，填入一導(dǎo)電金屬25于該開槽24內(nèi)。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電金屬25的材質(zhì)為銅，其是利用電鍍方式填入于該開槽24內(nèi)，且該導(dǎo)電金屬25是填滿該開槽24。然而可以理解的是，該導(dǎo)電金屬25也可以不填滿該開槽24，而形成一中心槽26，亦即該導(dǎo)電金屬25僅形成于該開槽24的側(cè)壁上，如圖8所示。