[發明專利]在基材上形成穿導孔的方法

有效

• 申請號: 200810099850.6
• 申請日: 2008-05-26
• 公開（公告）號: CN101281883A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 王盟仁
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.一種在基材上形成穿導孔的方法，包括：

(a)提供一基材，該基材具有第一表面及第二表面；

(b)形成一開槽于該基板；

(c)填入一導電金屬于該開槽內；

(d)移除位于該導電金屬外圍的部分基材，且保留該導電金屬，使得該導電金屬與該基材之間形成一容置空間；

(e)形成一絕緣材料于該容置空間；及

(f)去除部分該基材的第二表面，以顯露該導電金屬及該絕緣材料。

2.如權利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材為一晶片。

3.如權利要求1的方法，其中該步驟(b)包括

(b1)形成一第一光阻層于該基材的第一表面；

(b2)于該第一光阻層上形成第一開口；及

(b3)根據該第一開口于該基材上形成該開槽。

4.如權利要求3的方法，其中該步驟(b3)之后更包括一移除該第一光阻層的步驟。

5.如權利要求1的方法，其中該步驟(b)中，該開槽并未貫穿該基材。

6.如權利要求1的方法，其中該步驟(c)中該導電金屬是填滿該開槽。

7.如權利要求1的方法，其中該步驟(c)中該導電金屬是不填滿該開槽，而形成一中心槽，且在步驟(e)中該絕緣材料是填滿該容置空間及該中心槽。

8.如權利要求1的方法，其中該步驟(c)之后更包括一移除位于該開槽之外的導電金屬的步驟。

9.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)包括：

(d1)形成第二光阻層于該基材的第一表面上；

(d2)于該第二光阻層上形成第二開口，該第二開口的位置是相對于該開槽的位置且該第二開口大于該開槽；及

(d3)移除位于該導電金屬外圍的部分基材，且保留該導電金屬，使得該導電金屬與該基材之間形成一容置空間。

10.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)包括：

(d1)形成第二光阻層于該基材的第二表面上；

(d2)于該第二光阻層上形成第二開口，該第二開口的位置是相對于該開槽的位置且該第二開口大于該開槽；及

(d3)移除位于該導電金屬外圍的部分基材，且保留該導電金屬，使得該導電金屬與該基材之間形成一容置空間。

11.如權利要求1的方法，其中該步驟(e)中該絕緣材料為聚合物(Polymer)。

12.如權利要求11的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)均布該聚合物于該容置空間的相對位置；及

(e2)以真空吸附方式將該聚合物吸入該容置空間內。

13.如權利要求11的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)形成數個排氣孔，以連通該容置空間至該基材的第二表面；

(e2)均布該聚合物于該容置空間的相對位置；及

(e3)填入該聚合物至該容置空間及所述排氣孔內。

14.如權利要求11的方法，其中該步驟(e)是以噴涂方式(Spray?coat)使該聚合物霧化且沈積于該容置空間內。

15.如權利要求1的方法，其中該步驟(f)更包括以蝕刻或研磨去除部分該基材的第一表面。

16.如權利要求1的方法，其中該步驟(f)是蝕刻或研磨該基材的第二表面。