[發明專利]移栽容器的氣閥結構

無效

• 申請號: 200810099799.9
• 申請日: 2008-06-16
• 公開（公告）號: CN101609784A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 陳俐殷;汪欣聰
• 申請（專利權）人: 億尚精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/673;H01L21/677;G03F1/00;G03F7/20;B65D81/20;F16K17/19
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽 寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種半導用移載容器的進、排氣技術領域的氣閥結構，特別是涉及一種可選擇性對移載容器容置空間進排氣的氣閥結構，藉以維持與控制移載容器內部的潔凈度與環境條件的移載容器的氣閥結構。

背景技術

受到電子產品不斷朝向輕薄短小、高頻、高效能等特性不斷發展的影響，用于電子產品中的核心晶片就必須更進一步的微小化與高效能化，而欲使晶片微小化與具有高效能則需要使晶片上的集成電路線徑微細化，以容入更多的集成電路及元件，因此集成電路的線徑已經發展至90～45奈米，再者，為了增加同一晶圓(Wafer)上的晶片(Die)數量，晶圓的尺寸也由早期的3時、4時、6時、8時進展到12時，故一旦制程中因微粒或有害物質，而使晶圓或光掩膜(光掩膜即光罩，本文均稱為光掩膜)出現不良品時，對廠商的損失也將大幅的擴大，因此如何進一步的提高制程的優良率，是各半導體廠商不斷思考與研發的方向。

然而當晶圓或光掩膜表面附著微粒或產生霧化時，其會直接影響到晶圓的優良率，因此其制程中需要在極高等級的無塵室中進行。但是在半導體的無塵室中，不論是清洗、制作、濺鍍、黃光微影或蝕刻等，其均需要使用到很多的溶劑，而這些有害物質在經過制程加熱或曝光等動作時，會與環境中的水氣等產生化合作用，而在晶圓或光掩膜的表面附著或產生其他影響優良率的附加物。為了解決這些問題，業界則開發有例如美國專利第US?4,532,970號與美國專利第US?4,534,389號的晶圓、光掩膜密閉移轉系統，以確保微粒、水氣等有害物質不致進入緊鄰光掩膜與晶圓的環境中。

但是前述的密閉移轉系統并無法克服殘留于容器內的有害物質所產生的問題。以光掩膜為例，造成光掩膜污損的原因除了微粒之外，更進一步包含環境中的水氣、有毒氣體、塑膠制移載容器所釋出的硫化物和制作光掩膜制程中殘留或是光掩膜上圖形材質本身釋出的氨(NH₄⁺)、以及光掩膜清洗過程中殘留的化學分子等有害物質，以結晶為例，其化學式為(NH₄)₂SO₄，此一結晶物由前述不同原因釋出的氨(NH₄⁺)及硫酸根離子(SO₄^2-)經高能量光源與環境水氣等化合而成，因此經常發生光掩膜在清洗后，再經過一段時間的儲存后，只要一經黃光微影制程中的紫外線照射曝光，就會產生結晶的現象。

造成此一問題的主要原因，是來自于儲存容器的氣密性不足，使移載容器外的環境空氣中的微粒、水分子不斷的滲入，進而提供其化學反應所需要的元素。再者該移載容器主要是以塑膠制成，塑膠材料會不斷的釋出硫化物等有害物質，且外部氣體會滲透進入光掩膜，與光掩膜圖形材質本身或是移載容器內氨氣產生反應，造成有害物質附著于光掩膜的正反兩面與光掩膜護膜的表面。

為了解決這些問題，業界則開發有在移載容器上加裝充、填氣結構，如中國臺灣專利公告第I238804號與第M322056號等，用以將干凈的惰性氣體注入該移載容器內，并擠出移載容器內的有害氣體，同時進一步提升該移載容器的氣密性，以防止外部微粒進入，如中國臺灣專利公告第223680號及第I262164號等，其均是在通過該移載容器結構的改變，來提高移載容器的氣密性。惟氣密性的改良是一項重大的工程，不僅需要增加開發、制模與組裝的成本，且受到材質、蓋合力量與蓋合接觸面積等因素的影響，移載容器并無法達到完全氣密的效果，甚至由這些充填氣的結構泄氣，因此移載容器內的氣體仍然會漸漸向外流失，由于微粒與水分子極小，因此移載容器在經長時間儲存后，外部環境中如微粒與水分子等有害物質仍會漸漸滲入該移載容器的內部，而失去維持光掩膜潔凈度的作用，其同樣會造成光掩膜與光掩膜護膜的污損、霧化與結晶等，進一步影響到后續晶圓加工的優良率、產量與成本。

由此可見，上述現有的移載容器在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新型的移載容器的氣閥結構，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。