[發明專利]光盤、記錄裝置、讀取裝置、記錄方法及讀取方法

無效

• 申請號: 200810099110.2
• 申請日: 2006-01-13
• 公開（公告）號: CN101266825A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 甲斐田優;伊藤基志
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G11B20/18
• 分類號: G11B20/18
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

本專利申請是2006年6月29日進入中國國家階段，發明名稱為“光 盤、記錄裝置、讀取裝置及方法”的第200680000033.X號專利申請(國際 申請號PCT/JP2006/300379，申請日2006年1月13日)的分案申請。

技術領域

本發明涉及包含用于臨時記錄缺陷項的技術的技術領域。

背景技術

缺陷項是使缺陷簇的位置與用于代替缺陷簇的替換扇區的位置相關聯 的信息。

缺陷項的臨時記錄是這樣一個過程，其中在將數據記錄到一次寫入式 光盤期間檢測到缺陷區時，將關于缺陷區的缺陷項記錄到臨時區中。需要 臨時寫入缺陷項的原因如下。在光盤中，預先提供稱為缺陷管理區(DMA) 的區域，用于在其中寫入缺陷項。但是，在一次寫入式光盤里，在執行結 束處理之前，不允許將缺陷項寫入DMA中。這是因為一旦數據被寫入一 次寫入式光盤中，以后就不能重寫這些數據。也就是說，一旦將關于缺陷 區的缺陷項寫入DMA，就不能添加或者更新DMA中的數據，即使隨后檢 測到其它缺陷區。為此，當在記錄處理期間檢測到缺陷區時，需要將關于 缺陷區的缺陷項寫入臨時缺陷管理區或者臨時盤管理結構(TDMS)中。

作為現有技術，下述文獻公開了一種用于寫入臨時缺陷區列表或者臨 時缺陷列表(下文中稱為TDFL)的技術，該臨時缺陷列表包括多個關于缺 陷區的缺陷項。

文獻1：日本專利No.2671656(圖3～6)

本發明要解決的問題

在DMA中設置多個缺陷區列表，使得由缺陷區列表所表明的缺陷區 的地址按照遞增順序連續排列。通過這種布局，如果以自內圓周至外圓周 的順序從光盤以光學方式讀取數據，則會按照由缺陷區列表所表明的缺陷 區的地址遞增順序將多個缺陷區列表讀出至存儲器。在假定缺陷區列表是 按照上述順序排列在存儲器中的情況下，驅動裝置的固件利用所述缺陷區 列表進行處理。由于驅動裝置的固件是用于控制叫做物理層的基本軟件， 所以該固件需要按照上述順序提供缺陷區列表。

記錄在TDMS中的缺陷區列表與記錄在DMA中的缺陷區列表具有相 同的屬性，因此，需要按照由缺陷區列表所表明的缺陷區的地址的遞增順 序，將所述缺陷區列表讀出并設置到存儲器上。否則，固件將不能正常地 處理缺陷區列表。

由于上述原因，記錄在傳統光盤的TDMS中的缺陷區列表按照由缺陷 區列表所表明的缺陷區的地址遞增順序而順序排列。但是，這種按照缺陷 區地址遞增順序排列缺陷區列表的要求破壞了在傳統光盤中安排缺陷區列 表的自由。由于缺乏自由，如果在記錄多個缺陷區列表的過程中檢測到缺 陷簇，就不能離散地記錄多個缺陷區列表，而是必須將所有缺陷區列表重 新記錄在缺陷簇之后的簇中。

如上所述，由于所有缺陷區列表都應當重新記錄在缺陷簇之后的簇中， 所以分配給TDMS的區域會被迅速消耗。

圖1示出在寫入多個缺陷區列表期間檢測到缺陷簇時如何進行處理。 圖1的第一行表示構成TDMS#j的多個簇。圖中示出多個臨時缺陷區列表。 在構成第一行的TDMS的多個簇中，簇#2是缺陷簇。第二行表明已將 TDFL#1寫入簇#1中的狀態，第三行表明不能將TDFL#2寫入簇#2中的狀 態。根據傳統技術，應當連續排列TDFL#1至TDFL#4。因此，作為重試， 將TDFL#1至TDFL#4以及臨時盤定義結構(TDDS)寫入簇#3及其后的 簇中。TDDS是表明在TDFL#1至TDFL#4中第一TDFL的位置(圖1中 的地址C3)的信息。第四至第七行示出將TDFL#1至TDFL#4以及TDDS 寫入簇#3及其后續簇中的處理。

此處，在光盤上將TDMS分配給稱為導入區的特定區。因此，TDFL 的這種傳統設置存在分配給TDMS的區域會被迅速消耗的問題，其中TDFL 的這種設置要求在檢測到缺陷簇時，應當將一組缺陷區列表中的所有缺陷 區列表均重新記錄在缺陷簇之后的簇中。

因此，本發明的目的是提供一種光盤，利用它能夠以預定的順序將多 個缺陷區列表讀取到存儲器，同時防止臨時缺陷管理區(TDMS)被迅速 消耗。

發明內容

解決問題的手段