[發(fā)明專利]光盤、記錄裝置、讀取裝置、記錄方法及讀取方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810099110.2 | 申請日: | 2006-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN101266825A | 公開(公告)日: | 2008-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 甲斐田優(yōu);伊藤基志 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G11B20/18 | 分類號: | G11B20/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光盤 記錄 裝置 讀取 方法 | ||
1.一種用于將表明一次寫入式光盤缺陷區(qū)的缺陷區(qū)列表寫入以簇為單 位將數(shù)據(jù)記錄在上面的所述一次寫入式光盤的記錄裝置,所述記錄裝置包 括:
生成單元,用于生成結(jié)構(gòu)信息,所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息,所 述多條位置信息表明每個都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個簇的簇位 置;以及
寫入單元,用于將生成的所述結(jié)構(gòu)信息與所述缺陷區(qū)列表一起寫入所 述一次寫入式光盤的臨時(shí)缺陷管理區(qū)中,其中
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個部分,在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個部分:
(1)缺陷區(qū)列表里在初始寫入中成功寫入的一部分;
(2)缺陷區(qū)列表里在重試寫入中成功寫入的一部分;以及
(3)缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄裝置,還包括
驗(yàn)證單元,用于在已經(jīng)寫入缺陷區(qū)列表的每一部分時(shí),驗(yàn)證缺陷區(qū)列 表的每一部分,其中
如果寫入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇,則該寫入單元 進(jìn)行重試,以將簇A中的缺陷區(qū)列表的所述部分寫入簇B中,并且
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
3.如權(quán)利要求1所述的記錄裝置,還包括
驗(yàn)證單元,用于在已經(jīng)寫入除了最后一個缺陷區(qū)列表以外的缺陷區(qū)列 表中每一部分時(shí),驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分,其中
如果寫入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇,則該寫入單元 進(jìn)行重試,以將簇A中的缺陷區(qū)列表的所述部分寫入簇B中,并且
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
4.一種讀取裝置,用于從以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的一次寫入式 光盤上記錄的臨時(shí)缺陷管理區(qū)讀取缺陷區(qū)列表以及結(jié)構(gòu)信息,其中
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個部分,在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個部分:
(1)缺陷區(qū)列表里在初始寫入中成功寫入的一部分;
(2)缺陷區(qū)列表里在重試寫入中成功寫入的一部分;以及
(3)缺陷區(qū)列表里最后一簇包括結(jié)構(gòu)信息的一部分,
缺陷區(qū)列表的每一部分都表明所述光盤中的至少一個缺陷區(qū),
所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息,所述多條位置信息表明每個都包括 所述缺陷區(qū)列表一部分的多個簇的簇位置,
所述讀取裝置包括:
讀取單元,用于按照該結(jié)構(gòu)信息中排列與所述缺陷區(qū)列表對應(yīng)的所述 多條位置信息的順序,從所述光盤將所述缺陷區(qū)列表讀出到存儲器;
保存單元,用于保存讀出到所述存儲器的所述缺陷區(qū)列表;以及
訪問單元,用于在高級裝置指示訪問由所述缺陷區(qū)列表表明的缺陷區(qū) 時(shí),訪問對應(yīng)于該缺陷區(qū)的備用區(qū),而不是該缺陷區(qū)。
5.一種記錄方法,用于將表明一次寫入式光盤上缺陷區(qū)的缺陷區(qū)列表 寫入以簇為單位將數(shù)據(jù)記錄在上面的所述光盤上,該記錄方法包括以下步 驟:
生成結(jié)構(gòu)信息,所述結(jié)構(gòu)信息包括多條位置信息,所述多條位置信息 表明每個都包括所述缺陷區(qū)列表一部分的多個簇的簇位置;以及
將生成的所述結(jié)構(gòu)信息與所述缺陷區(qū)列表一起寫入所述一次寫入式光 盤的臨時(shí)缺陷管理區(qū)中,其中
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)有一個部分,在其中按照以下順序排列所述缺陷 區(qū)列表的多個部分:
(1)缺陷區(qū)列表里在初始寫入中成功寫入的一部分;
(2)缺陷區(qū)列表里在重試寫入中成功寫入的一部分;以及
(3)缺陷區(qū)列表里最后一簇包括所述結(jié)構(gòu)信息的一部分。
6.如權(quán)利要求5所述的記錄方法,還包括以下步驟:
在已經(jīng)寫入缺陷區(qū)列表的每一部分時(shí),驗(yàn)證缺陷區(qū)列表的每一部分, 其中
如果寫入有缺陷區(qū)列表一部分的簇A被驗(yàn)證為缺陷簇,則該寫入步驟 進(jìn)行重試,以將簇A中的缺陷區(qū)列表的所述部分寫入簇B中,并且
所述臨時(shí)缺陷管理區(qū)具有缺陷區(qū)列表的第(2)部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社,未經(jīng)松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810099110.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種殺蚊器
- 下一篇:聚琥珀酰亞胺和聚琥珀酰亞胺共聚物的合成方法





