[發(fā)明專利]利用長程濺射制作液晶取向膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810098541.7
• 申請日: 2005-06-03
• 公開（公告）號: CN101280419A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 官大雙;張逸明;林佳德;詹佳璁
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)誠光電股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;G02F1/1337
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制作液晶取向膜的方法，該方法包括：

將一基底置于一反應(yīng)室內(nèi)的一基底乘座上；

利用一高密度等離子體轟擊設(shè)于該基底上方的一靶材，以產(chǎn)生一濺射物質(zhì)；以及

于該基底與該靶材之間提供一準(zhǔn)直管，以使該濺射物質(zhì)依照一特定濺射方向沉積于該基底表面以形成一液晶取向膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該液晶取向膜為一無機(jī)材料層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該液晶取向膜為一具有高穿透率的非導(dǎo)體材料層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該液晶取向膜包含一類鉆石碳薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該液晶取向膜包含一氧化硅薄膜。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于沉積該液晶取向膜時(shí)，該方法還包括使該基底傾斜一角度，以使該液晶取向膜提供一液晶預(yù)傾角。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該基底的傾斜角度約為20～70度。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該準(zhǔn)直管包括多個開口，且各該開口的高寬比大于2∶1。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該靶材的表面面積大于該基底的表面面積。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該反應(yīng)室內(nèi)的壓力約為0.03～0.1毫托耳。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該靶材與該基底間的距離約為20～70厘米。