[發(fā)明專(zhuān)利]在半導(dǎo)體裝置中制造圖案的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810098532.8
• 申請(qǐng)日: 2008-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101335185A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹炯舜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，以及更具體而言，涉及一種使用間隔物在半導(dǎo)體裝置中制造圖案的方法。

背景技術(shù)

通常，多個(gè)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置(例如，比如晶體管的有源裝置或比如寄存器的無(wú)源裝置)的裝置被實(shí)現(xiàn)為圖案的形式。例如，該晶體管包括設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括柵極絕緣層及柵極電極層。具體而言，該柵極絕緣層及該柵極電極層具有比如條的預(yù)定圖案結(jié)構(gòu)。

通常使用光刻工藝形成這些圖案。亦即，在待圖案化的目標(biāo)層上形成光致抗蝕劑層圖案，以及使用該光致抗蝕劑層圖案作為一蝕刻掩模，通過(guò)蝕刻工藝移除該目標(biāo)層的暴露部分，由此獲得需求的圖案。然而，隨著集成水平的增加，上述方法變得更受到限制。具體而言，雖然當(dāng)該半導(dǎo)體裝置的集成度變得更高時(shí)，這些圖案的節(jié)距減少，但是該光刻工藝技術(shù)因它的基本限制而跟不上該圖案節(jié)距的減少的步伐。

因此，提出一種用以使用間隔物以制造這些圖案的方法，以形成具有微節(jié)距的圖案。依據(jù)此方法，在要形成有這些圖案的目標(biāo)層上形成犧牲層圖案，以及在該犧牲層圖案的側(cè)壁上形成這些間隔物。然后，移除該犧牲層圖案及使用這些間隔物作為蝕刻掩模通過(guò)蝕刻工藝移除該目標(biāo)層的暴露部分。通常，這些間隔物可形成有充分厚度及可輕易地控制這些間隔物的厚度。因此，可通過(guò)使用這些間隔物以形成這些具有微節(jié)距的圖案。然而，因?yàn)橥瑫r(shí)形成這些間隔物，所以這些間隔物在整個(gè)區(qū)域上具有相同厚度。于是，這些圖案具有相同節(jié)距。然而，常常期望使用單一圖案化工藝以形成具有不同節(jié)距的圖案。在此情況中，必須實(shí)施一額外掩模工藝，以形成這些可變節(jié)距圖案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例涉及提供一種使用間隔物以在半導(dǎo)體裝置中制造具有不同節(jié)距的圖案的方法。

在一實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置的圖案的方法包括：形成具有側(cè)壁的第一犧牲層圖案于圖案目標(biāo)層上方；形成第一間隔物于這些第一犧牲層圖案的側(cè)壁上；形成第二犧牲層圖案于這些第一犧牲層圖案及這些第一間隔物上方，其中該第二犧牲層圖案暴露這些第一間隔物中的至少一第一間隔物；通過(guò)在該暴露第一間隔物上形成第二間隔物以形成雙間隔物；移除該第二犧牲層圖案及這些第一犧牲層圖案；以及通過(guò)使用這些第一間隔物及該雙間隔物作為蝕刻掩模蝕刻該圖案目標(biāo)層的暴露部分，形成具有由這些第一間隔物所界定的第一節(jié)距的第一圖案及具有由該雙間隔物所界定的第二節(jié)距的第二圖案。

該方法優(yōu)選進(jìn)一步包括：在形成這些第一犧牲層圖案前，形成蝕刻中止層于該圖案目標(biāo)層上。

這些第一間隔物的形成優(yōu)選包括：形成第一間隔物材料層于該圖案目標(biāo)層及這些第一犧牲層圖案上方；以及通過(guò)在該第一間隔物材料層上實(shí)施各向異性蝕刻工藝，從該圖案目標(biāo)層移除該第一間隔物材料層的一部分及從這些第一犧牲層圖案的上表面移除該第一間隔物材料層。

這些第一及第二犧牲層圖案優(yōu)選包括氧化層。

該雙間隔物的形成優(yōu)選包括形成第二間隔物材料層于該第二犧牲層圖案、該暴露第一間隔物及該圖案目標(biāo)層上方；以及通過(guò)在該第二間隔物材料層上實(shí)施各向異性蝕刻工藝，從該第二犧牲層圖案移除該第二間隔物材料層及從該圖案目標(biāo)層移除該第二間隔物材料層的一部分。

附圖說(shuō)明

圖1為示出具有不同節(jié)距的圖案結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖2至9為示出依據(jù)本發(fā)明在半導(dǎo)體裝置中制造圖案的方法的剖面圖。

具體實(shí)施方式

圖1為示出具有不同節(jié)距的圖案結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2至圖9為示出依據(jù)本發(fā)明的在半導(dǎo)體裝置中制造圖案的工藝的、沿著圖1的線(xiàn)A-A′的剖面圖。參考圖1，在基板100上形成具有第一節(jié)距W1的第一圖案211及具有第二節(jié)距W2的第二圖案212，其中該第二節(jié)距W2比該第一節(jié)距W1寬。雖然在所示實(shí)施例中該具有相對(duì)大節(jié)距的第二圖案212配置在該基板100的最外部分上，但是除該最外部分之外，該具有大節(jié)距的第二圖案212還可以配置在另一部分上，例如，在這些第一圖案211間，而不脫離本發(fā)明的范圍。

為了形成具有不同節(jié)距的圖案，如圖2所示，在該基板100上形成要形成有這些圖案的圖案目標(biāo)層110，以及在該圖案目標(biāo)層110上形成蝕刻中止層120。該圖案目標(biāo)層110優(yōu)選包括絕緣層或?qū)щ妼印Ｔ撐g刻中止層120在稍后用以形成間隔物，且包括相對(duì)于用以形成該間隔物的材料層具有充分蝕刻選擇性的材料。接下來(lái)，在該蝕刻中止層120上形成第一犧牲層130。該第一犧牲層130優(yōu)選包括氧化層，但是本發(fā)明并非局限于此。在該第一犧牲層130上形成掩模層圖案140。該掩模層圖案140優(yōu)選包括光致抗蝕劑層。