[發(fā)明專利]在半導體裝置中制造圖案的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810098532.8
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN101335185A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 尹炯舜
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.?一種在半導體裝置中制造圖案的方法，包括：

形成具有側壁的第一犧牲層圖案于圖案目標層上方；

形成第一間隔物于這些第一犧牲層圖案的側壁；

形成第二犧牲層圖案于這些第一犧牲層圖案及這些第一間隔物上方，其中該第二犧牲層圖案暴露這些第一間隔物的至少之一；

通過在暴露的第一間隔物上形成第二間隔物以形成雙間隔物；

移除該第二犧牲層圖案及這些第一犧牲層圖案；以及

通過使用這些第一間隔物及該雙間隔物作為蝕刻掩模，蝕刻該圖案目標層的暴露部分以形成具有由這些第一間隔物所界定的第一節(jié)距的第一圖案及具有由該雙間隔物所界定的第二節(jié)距的第二圖案。

2.?如權利要求1的方法，進一步包括在形成這些第一犧牲層圖案前，形成蝕刻中止層于該圖案目標層上。

3.?如權利要求1的方法，包括通過以下步驟形成這些第一間隔物：

形成第一間隔物材料層于該圖案目標層及這些第一犧牲層圖案上方；以及

通過在該第一間隔物材料層上實施各向異性蝕刻工藝，從該圖案目標層移除該第一間隔物材料層的一部分及從這些第一犧牲層圖案的上表面移除該第一間隔物材料層。

4.?如權利要求1的方法，其中該第二犧牲層圖案包括氧化層。

5.?如權利要求1的方法，包括通過以下步驟形成該雙間隔物：

形成第二間隔物材料層于該第二犧牲層圖案、該第一間隔物及該圖案目標層上方；以及

通過在該第二間隔物材料層上實施各向異性蝕刻工藝，從該第二犧牲層圖案移除該第二間隔物材料層及從該圖案目標層移除該第二間隔物材料層的一部分。

6.?如權利要求1的方法，其中這些第一犧牲層圖案包括氧化層。