[發明專利]封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810098168.5
• 申請日: 2008-05-26
• 公開（公告）號: CN101355066A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 虞國平;王之奇;俞國慶;王蔚;鄒秋紅
• 申請（專利權）人: 晶方半導體科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李麗

1.一種封裝結構，包括設有焊墊的芯片，絕緣層，與芯片上的焊墊電連通的中介金屬層，焊接凸點，以及與焊接凸點電連通的再分布金屬層，其特征在于：所述再分布金屬層與中介金屬層直接連接形成電連通，還包括掩膜層和和位于掩膜層上的保護層，所述掩膜層位于中介金屬層和絕緣層上，所述掩膜層含有多個掩膜通孔，所述保護層含有多個保護層通孔，所述焊接凸點有至少兩個，其中至少有一個與再分布金屬層和中介金屬層的連接方式為凹形連接，所述凹形連接為再分布金屬層的一部分覆蓋至少一個掩膜通孔并延伸至掩膜層表面，且保護層通孔與對應的掩膜通孔在垂直于保護層的方向上不相交，保護層通孔暴露出再分布金屬層，凹形連接的焊接凸點位于該保護層通孔內的再分布金屬層上；

其余凸點與再分布金屬層和中介金屬層的連接方式為一形連接，所述一形連接為再分布金屬層只覆蓋其余掩膜通孔，且保護層通孔與對應的掩膜通孔在垂直于保護層的方向上相交或重合，掩膜通孔和保護層通孔均暴露出再分布金屬層，一形連接的焊接凸點位于該掩膜通孔和保護層通孔同時暴露出的再分布金屬層上。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述焊墊與所述中介金屬層之間為T形連接。

3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：還包括設有焊墊的芯片、玻璃基板以及絕緣層，所述玻璃基板與絕緣層通過夾持所述焊墊而包圍所述芯片，所述芯片上面向玻璃基板的一側設有光學感應元件。

4.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供部分暴露焊墊的半封裝結構；

于半封裝結構上形成中介金屬層，并使中介金屬層與所述焊墊電連通；

刻蝕中介金屬層，形成圖形化中介金屬層；

形成再分布金屬層，所述再分布金屬層與中介金屬層直接連接形成電連通；

刻蝕再分布金屬層，形成圖形化再分布金屬層；

所述形成再分布金屬層的步驟為：

于半封裝結構覆有中介金屬層的一側形成掩膜層；

在掩膜層上形成部分暴露中介金屬層的掩膜通孔；

于半封裝結構覆有掩膜層的一側形成再分布金屬層，使得再分布金屬層與中介金屬層在掩膜通孔內直接連接形成電連通；

于半封裝結構覆有再分布金屬層的一側覆蓋保護層，在保護層上形成部分暴露再分布金屬層的保護層通孔；

所述掩膜通孔有多個，再分布金屬層的一部分覆蓋至少一個掩膜通孔并延伸至掩膜層表面，且保護層通孔與對應的掩膜通孔在垂直于保護層的方向上不相交；

再分布金屬層的其余部分只覆蓋其余掩膜通孔，且保護層通孔與對應的掩膜通孔在垂直于保護層的方向上相交或重合；

在圖形化再分布金屬層上的保護層通孔中形成與之電連通的焊接凸點。

5.如權利要求4所述的封裝結構的制造方法，其特征在于：所述部分暴露焊墊為暴露焊墊的側壁，且中介金屬層與所述焊墊的側壁形成電連通。

6.如權利要求4所述的封裝結構的制造方法，其特征在于，所述半封裝結構包括邊緣延伸出焊墊的芯片、玻璃基板以及絕緣層，所述玻璃基板與絕緣層通過夾持所述焊墊而包圍所述芯片，所述芯片上面向玻璃基板的一側設有光學感應元件。