[發明專利]集成電路、制造集成電路的方法、存儲模塊、計算系統無效

申請號：	200810098137.X	申請日：	2008-05-15
公開（公告）號：	CN101308852A	公開（公告）日：	2008-11-19
發明（設計）人：	艾克·魯特科夫斯基;德特勒夫·里希特;米夏埃爾·施佩希特;約瑟夫·威勒;迪爾克·曼格;肯尼·瓦贊;斯特芬·邁爾;克勞斯·克諾布洛奇;霍爾格·莫勒;多里斯·凱特爾－舒爾茨;揚·古切;格特·克伯尼克;克里斯托夫·弗里德里希	申請（專利權）人：	奇夢達閃存有限責任公司;奇夢達股份公司
主分類號：	H01L27/115	分類號：	H01L27/115;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/84;H01L21/768;G06F15/78
代理公司：	北京康信知識產權代理有限責任公司	代理人：	余剛;尚志峰
地址：	德國德***	國省代碼：	德國;DE
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摘要：
搜索關鍵詞：	集成電路制造方法存儲模塊計算系統
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【說明書】：

技術領域

本發明的實施例大體涉及集成電路、制造集成電路的方法、存儲模塊、以及計算系統。

背景技術

在傳統的浮柵NAND閃存裝置中，可以通過選擇用于各種類型存儲器的選擇線來設置用于共享位線結構中的埋置位線或源極/漏極區的局部開關。例如，傳統的局部開關結構通常顯示出下列特征：

耗盡型晶體管通常由增強型晶體管形成。

這些耗盡型晶體管通常由注入到有源區中的源極/漏極型的額外溝道離子注入制成。

注入晶體管通常具有較低的(即，負的)閾值電壓V_t，但是仍具有高的晶體管溝道阻抗。

這些耗盡型晶體管通常主要用作埋置位線的串聯電阻。

發明內容

在各種實施例中，提供了一種集成電路，該集成電路包括：多個第一存儲單元，其沿第一線布置；第一觸點，連接至多個第一存儲單元；多個第二存儲單元，沿第二線布置；第二觸點，連接至多個第二存儲單元；以及多個開關元件，其中，兩個相鄰的開關元件彼此連接，其中，兩個相鄰的開關元件中的第一開關元件連接至第一觸點，以及兩個相鄰的開關元件中的第二開關元件連接至第二觸點，以及其中，這兩個相鄰的開關元件是相同類型的開關元件。

附圖說明

附圖中，在所有不同視圖中相同的參考標號通常表示相同的部件。這些附圖不需要按比例繪制，而是通常將重點放在示出本發明的原理。在以下描述中，參照附圖描述本發明的各個實施例，其中：

圖1示出了使用根據本發明實施例的存儲裝置的計算系統；

圖2示出了根據本發明實施例的開關結構的一部分的俯視圖；

圖3示出了根據本發明另一個實施例的開關結構的一部分的俯視圖；

圖4示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分的俯視圖；

圖5示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第一階段處沿圖4的剖面線B-B′的截面圖；

圖6示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第二階段處沿圖4的剖面線B-B′的截面圖；

圖7示出了根據本發明實施例的圖4的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第三階段處的俯視圖；

圖8示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第四階段處沿圖4的剖面線B-B′的截面圖；

圖9示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第四階段處沿圖4的剖面線A-A′的截面圖；

圖10示出了根據本發明實施例的NAND閃存裝置的一部分在其制造過程的第五階段處沿圖4的剖面線B-B′的截面圖；