[發(fā)明專利]集成電路、制造集成電路的方法、存儲模塊、計算系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810098137.X | 申請日: | 2008-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN101308852A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 艾克·魯特科夫斯基;德特勒夫·里希特;米夏埃爾·施佩希特;約瑟夫·威勒;迪爾克·曼格;肯尼·瓦贊;斯特芬·邁爾;克勞斯·克諾布洛奇;霍爾格·莫勒;多里斯·凱特爾-舒爾茨;揚·古切;格特·克伯尼克;克里斯托夫·弗里德里希 | 申請(專利權)人: | 奇夢達閃存有限責任公司;奇夢達股份公司 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/84;H01L21/768;G06F15/78 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人: | 余剛;尚志峰 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 制造 方法 存儲 模塊 計算 系統(tǒng) | ||
1.一種集成電路,包括:
多個第一存儲單元,沿第一線布置;
第一接觸部,連接至所述多個第一存儲單元;
多個第二存儲單元,沿第二線布置;
第二接觸部,連接至所述多個第二存儲單元;以及
多個開關元件,其中,兩個相鄰開關元件彼此連接,其中,所述兩個相鄰開關元件的第一開關元件連接至所述第一接觸部以及所述兩個相鄰開關元件的第二開關元件連接至所述第二接觸部,以及其中,所述兩個相鄰開關元件是相同類型的開關元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述第一存儲單元和所述第二存儲單元都包括非易失性存儲單元。
3.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,
其中,所述多個第一存儲單元包括形成第一存儲單元帶的源漏串聯(lián)連接的存儲單元;
其中,所述第一接觸部連接至串聯(lián)連接的所述第一存儲單元帶的一部分;
其中,所述多個第二存儲單元包括形成第二存儲單元帶的源漏串聯(lián)連接的存儲單元;以及
其中,所述第二接觸部連接至串聯(lián)連接的所述第二存儲單元帶的一部分。
4.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述開關元件的類型由所述開關元件的開關特性確定。
5.根據(jù)權利要求4所述的集成電路,其中,所述開關元件的類型由所述開關元件的控制特性確定。
6.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述多個開關元件包括多個晶體管。
7.根據(jù)權利要求6所述的集成電路,其中,所述多個開關元件包括多個場效應晶體管。
8.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述多個開關元件中的至少一個開關元件包括常閉開關元件。
9.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述多個開關元件中的至少一個開關元件包括常開開關元件。
10.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,進一步包括:
第一選擇線,用于選擇所述多個第一存儲單元,所述第一選擇線與所述第一線和所述第二線相交,其中,所述第一選擇線連接至所述第一開關元件以及所述第二開關元件;以及
第二選擇線,用于選擇所述多個第二存儲單元,所述第二選擇線與所述第一線和所述第二線相交;
其中,所述多個開關元件進一步包括串聯(lián)連接至所述第一開關元件的第三開關元件,以及串聯(lián)連接至所述第二開關元件的第四開關元件,以及
其中,所述第二選擇線連接至所述第三開關元件以及所述第四開關元件。
11.根據(jù)權利要求10所述的集成電路,
其中,所述第一開關元件和所述第三開關元件是不同類型的開關元件;以及
其中,所述第二開關元件和所述第四開關元件是不同類型的開關元件。
12.根據(jù)權利要求10所述的集成電路,其中,所述第三開關元件和所述第四開關元件是相同類型的開關元件。
13.根據(jù)權利要求10所述的集成電路,
其中,所述第一開關元件和所述第二開關元件包括常閉開關元件;以及
其中,所述第三開關元件和所述第四開關元件包括常開開關元件。
14.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,進一步包括用于控制所述第一存儲單元和所述第二存儲單元的多條控制線。
15.根據(jù)權利要求14所述的集成電路,其中,所述多條控制線與所述第一線和所述第二線相交。
16.根據(jù)權利要求15所述的集成電路,其中,所述第一選擇線和所述第二選擇線在所述多條控制線與所述第一接觸部和所述第二接觸部之間布置。
17.根據(jù)權利要求16所述的集成電路,其中,所述第一選擇線和所述第二選擇線基本平行于所述多條控制線布置。
18.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,
其中,所述第一線和所述第二線具有預定特征尺寸的線間距;以及
其中,所述第一接觸部和所述第二接觸部具有至少兩倍于所述預定特征尺寸的接觸間距。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





