[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200810097657.9
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN101312160A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 高永善
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115;H01L23/532;H01L29/788;H01L29/43
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;李丙林

1.一種制造半導體存儲裝置的方法，包括：

在半導體襯底上形成包括浮置柵極和控制柵極的疊層柵極結構；接著

在所述半導體襯底中形成共源極線和漏極區域；接著

在包括所述疊層柵極結構、所述共源極線和所述漏極區域的所述半導體襯底上形成絕緣膜；

在所述疊層柵極結構、所述共源極線和所述漏極區域上形成感光膜；

圖樣化所述感光膜以暴露所述共源極線的上部區域；

部分地蝕刻通過圖樣化所述感光膜所暴露的所述絕緣膜，并從而減小在所述疊層柵極結構的鄰近所述共源極線的側壁處形成的所述絕緣膜的厚度；接著

通過蝕刻所述絕緣膜而在所述疊層柵極結構的兩個側壁上形成一對隔離件以暴露所述共源極線和所述漏極區域；接著

在暴露的所述共源極線的表面上形成硅化物層；

其中，形成所述一對隔離件包括：

實施表面蝕刻工藝以使鄰近所述漏極區域的所述一對隔離件中的一個比鄰近所述共源極線的所述一對隔離件中的另一個更寬。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述硅化物層包括：

在所述半導體襯底的不包括所述共源極線的上部區域的整個表面上形成自對準多晶硅化物保護膜；接著

在暴露的所述共源極線上實施自對準硅化物工藝以形成所述硅化物層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述自對準多晶硅化物保護膜包括：

在所述半導體襯底的整個表面上形成感光膜；接著

圖樣化所述感光膜以暴露所述半導體襯底的不包括所述共源極線的上部區域的整個表面；接著

在通過圖樣化所述感光膜而暴露的所述區域中形成所述自對準多晶硅化物保護膜。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述硅化物層包括依次層疊厚度為140～160的鈷、厚度為180～220的鈦和厚度為200～240的氮化鈦。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，形成所述硅化物層進一步包括在氮氣(N₂)氛下在440～520℃實施快速加溫退火工藝50～70秒鐘。

6.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述硅化物層包括依次層疊厚度為140～160的鈷、厚度為180～220的鈦和厚度為200～240的氮化鈦。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，形成所述硅化物層進一步包括在氮氣(N₂)氛下在440～520℃實施快速加溫退火工藝50～70秒鐘。

8.一種半導體存儲裝置，包括：

疊層柵極結構，包括形成在其中形成有共源極線和漏極區域的半導體襯底上的浮置柵極和控制柵極；

一對隔離件，形成在所述疊層柵極結構的兩個側壁上；以及

硅化物層，形成所述共源極線的表面上；

其中，鄰近所述漏極區域的所述一對隔離件中的一個比鄰近所述共源極線的所述一對隔離件中的另一個更寬。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述硅化物層包括厚度為140～160的鈷層、厚度為180～220的鈦層和厚度為200～240的氮化鈦層。

10.一種形成半導體裝置的方法，包括：

形成疊層柵極結構，包括浮置柵極和控制柵極；接著

在半導體襯底中形成共源極線和漏極區域；接著

在所述疊層柵極結構的側壁上，形成鄰近所述共源極線的具有第一寬度的第一隔離件和鄰近所述漏極區域的具有第二寬度的第二隔離件，其中所述第二寬度大于所述第一寬度；接著

形成直接在所述共源極線上并接觸所述共源極線的硅化物層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述第一隔離件和第二隔離件包括：

在包括所述疊層柵極整體、所述共源極線和所述漏極區域的所述半導體襯底上形成絕緣膜；接著

在所述絕緣膜上形成感光膜并圖樣化所述感光膜以暴露形成在所述疊層柵極結構的鄰近所述共源極線的側壁上的所述絕緣膜的一部分；接著

實施部分地蝕刻形成在所述側壁上的所述絕緣膜的所述暴露部分的第一蝕刻工藝；接著

實施第二蝕刻工藝以形成所述第一隔離件和第二隔離件。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述硅化物層也接觸所述第一隔離件。