[發明專利]半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件無效
| 申請號: | 200810096362.X | 申請日: | 2008-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN101262118A | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 畑雅幸;久納康光;別所靖之 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/00 | 分類號: | H01S5/00;H01S5/40;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 激光 元件 制作方法 | ||
相關申請的相互參考
本申請要求于2007年3月6日提出的日本專利申請JP2007-056209和于2008年2月12日提出的日本專利申請JP2008-30808的優先權。并引用上述申請的全部公開內容作為本說明書的一部分。
技術領域
本發明涉及一種半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件,尤其涉及一種在基板上形成有半導體激光元件部的半導體激光元件的制造方法和半導體激光元件。
背景技術
在現有技術中,已知在基板上形成有半導體激光元件部的半導體激光元件的制造方法。例如在日本特開2005-209950號公報中公開有這樣的半導體激光元件的制造方法。
在上述日本特開2005-209950號公報中公開有包括以下工序的半導體激光元件的制造方法:在半導體基板上隔著規定的間隔形成多個第一激光振蕩部的工序;在藍寶石基板上隔著規定的間隔形成多個第二激光振蕩部(半導體激光元件部)的工序;將藍寶石基板上的所有第二激光振蕩部分別與半導體基板上的第一激光振蕩部接合的工序;和將半導體基板分割成每個第二激光振蕩部的工序。
但是,在日本特開2005-209950號公報所公開的半導體激光元件的制造方法中,因為將在藍寶石基板上隔著規定的間隔形成的所有第二激光振蕩部分別與半導體基板上的第一激光振蕩部接合之后,將半導體基板分割成每個第二激光振蕩部,所以當為了使每一片藍寶石基板的第二激光振蕩部的數量增加而減小形成于藍寶石基板上的第二激光振蕩部(半導體激光元件部)的寬度時,分割后的半導體基板的寬度也變小。因此,存在由于半導體激光元件的寬度變小而導致半導體激光元件變得難以處理(handling)這樣的問題。
發明內容
本發明的第一方面的半導體激光元件的制造方法包括:在第一基板上,在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規定的間隔形成多個第一半導體激光元件部的工序;將多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序;將與第二基板接合的多個第一半導體激光元件部中的一部分從第一基板剝離的工序;和沿第二方向分割第二基板的工序。
本發明的第二方面的半導體激光元件具有:基板;第一半導體激光元件部,其在基板的表面上形成且具有諧振器;和電極層,其與第一半導體激光元件部的與基板相反的一側的表面電連接,且以在與第一半導體激光元件部鄰接的基板的表面上延伸的方式形成,其中,基板的與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比半導體激光元件部的第二方向的長度大。
本發明的第三方面的半導體激光元件包括:基板;第一半導體激光元件部,其在基板的表面上形成且具有諧振器;和電極層,其形成在第一半導體激光元件部的與基板相反的一側的表面上,其中,基板的與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比第一半導體激光元件部的第二方向的長度大,第一半導體激光元件部具有在第二方向上突出的突出部。
本發明的第四方面的半導體激光元件包括:基板;多個半導體激光元件部,其在基板的表面上形成且具有諧振器;和電極層,其與多個半導體激光元件部的與基板相反的一側的表面電連接,且以在與多個半導體激光元件部鄰接的基板的表面上延伸的方式形成,其中,多個半導體激光元件部在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規定的間隔形成,規定的間隔比多個半導體激光元件部的上述第二方向的長度大。
附圖說明
圖1是用于說明本發明的半導體激光元件的概要結構的平面圖。
圖2是沿圖1的1000-1000線的截面圖。
圖3是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。
圖4是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。
圖5是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。
圖6是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的底面圖。
圖7是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。
圖8是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。
圖9是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。
圖10是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。
圖11是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。
圖12是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。
圖13是本發明的第一實施方式的半導體激光元件的底面圖。
圖14是沿圖13的1100-1100線的截面圖。
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