[發明專利]半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件

無效

• 申請號: 200810096362.X
• 申請日: 2008-03-06
• 公開（公告）號: CN101262118A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 畑雅幸;久納康光;別所靖之
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種半導體激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基板上，在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規定的間隔形成多個第一半導體激光元件部的工序；

將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；

將接合在所述第二基板上的所述多個第一半導體激光元件部中的一部分從所述第一基板剝離的工序；和

沿所述第二方向分割所述第二基板的工序。

2.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

沿所述第一方向分割所述第二基板的工序。

3.如權利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

沿所述第一方向分割所述第二基板的工序包括：以使得所述第二基板的所述第二方向的長度比所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度大的方式進行分割的工序。

4.如權利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

沿所述第一方向分割所述第二基板的工序包括：在所述第二基板的沒有接合所述第一半導體激光元件部的區域，沿所述第一方向分割所述第二基板的工序。

5.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第一基板上形成所述多個第一半導體激光元件部之后，在第三基板上配置在所述第二方向上隔著規定的間隔形成有多個第一半導體激光元件部的所述第一基板，并分割所述第一基板的工序，其中，

將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括：將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在所述第二基板上，并將所述多個第一半導體激光元件部和所述被分割的第一基板中的一部分從所述第三基板剝離的工序。

6.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括：每隔規定的數量將所述多個第一半導體激光元件部接合在所述第二基板上的工序。

7.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括：在接合所述第一半導體激光元件部的一側形成有多個凸部的所述第二基板上，以與所述多個凸部的各個相對應的方式分別接合所述第一半導體激光元件部的工序。

8.如權利要求7所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述多個凸部在所述第二方向上隔著規定的間隔以與被接合的各個所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的寬度大致相等的寬度形成。

9.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序之前，在所述第二基板的接合所述第一半導體激光元件部的區域，與被接合的各個所述第一半導體激光元件部相對應地形成多個粘結層的工序。

10.如權利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述多個粘結層在所述第二方向上隔著規定的間隔以與所述被接合的各個第一半導體激光元件部的所述第二方向的寬度大致相等的寬度形成。

11.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括：

在將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序之前，在所述第二基板上形成第二半導體激光元件部的工序。

12.如權利要求11所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在所述第二基板上形成所述第二半導體激光元件部的工序包括：在所述第二基板上通過結晶生長而形成所述第二半導體激光元件部的工序。

13.一種半導體激光元件，其特征在于，具有：

基板；

第一半導體激光元件部，其在所述基板的表面上形成且具有諧振器；和

電極層，其與所述第一半導體激光元件部的與所述基板相反的一側的表面電連接，且以在與所述第一半導體激光元件部鄰接的所述基板的表面上延伸的方式形成，其中，

所述基板的與所述諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度大。