[發明專利]光致抗蝕劑去除機臺以及光致抗蝕劑去除工藝

無效

• 申請號: 200810096212.9
• 申請日: 2008-04-30
• 公開（公告）號: CN101571678A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 吳瑞鴻;方建章;張鳳如;楊思宏;蕭士杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 晨;張浴月

技術領域

本發明涉及一種光致抗蝕劑去除機臺以及光致抗蝕劑去除工藝。

背景技術

請參閱圖1A、圖1B，圖1A為傳統光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于承載位置的示意圖，而圖1B為傳統光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于工藝位置的示意圖。光致抗蝕劑去除機臺10用以去除晶圓20上的光致抗蝕劑，傳統光致抗蝕劑去除機臺10包括晶圓載具11、加熱器12、馬達13以及溫度控制器14，當晶圓20進入光致抗蝕劑去除機臺10時，晶圓20位于承載位置(如圖1A所示的位置)，此時晶圓20與加熱器12的間距為2mm，以將晶圓20由外部機臺(圖中未示)承接至光致抗蝕劑去除機臺10中。當晶圓20進入光致抗蝕劑去除機臺10后，加熱器12受溫度控制器14的影響開始升溫，由于工藝時間必須盡量縮短，故加熱器12會快速地升溫，同時，晶圓載具11會垂直移動，而晶圓20隨著移動至工藝位置(如圖1B所示的位置)，由于傳統光致抗蝕劑去除機臺10中的晶圓載具11僅能使得晶圓20停留在該承載位置以及該工藝位置，而快速升溫容易導致光致抗蝕劑去除機臺10中的溫度高于工藝溫度，所以當晶圓20被高溫加熱時，晶圓載具11與加熱器12的間距太接近，可能會發生晶圓20光致抗蝕劑爆裂(photoresistance?popping)的情況。

發明內容

為了改善上述缺點，本發明提供一種光致抗蝕劑去除機臺以及光致抗蝕劑去除工藝。

光致抗蝕劑去除機臺用以去除晶圓上的光致抗蝕劑，其包括加熱器、晶圓載具、馬達以及高度控制單元。晶圓載具支撐晶圓并使得晶圓相對于加熱器作垂直位移，馬達與晶圓載具電性連接，高度控制單元與馬達電性連接，以控制晶圓與加熱器的間距，其中，利用高度控制單元控制晶圓停留于至少三個位置。

應注意的是，晶圓剛進入光致抗蝕劑去除機臺時，晶圓位于承載位置，當加熱器的溫度過高時，晶圓移動到降溫位置，當加熱器調整至工藝溫度時，晶圓移動到工藝位置。

更具體地說，當加熱器的溫度高于設定溫度超過10度以上，晶圓移動到降溫位置，當加熱器調整至工藝溫度的正負5度時，晶圓移動到工藝位置。

應注意的是，當晶圓位于工藝位置時，晶圓與加熱器的間距為3mm。

應注意的是，光致抗蝕劑去除機臺還包括溫度控制器，溫度控制器與加熱器電性連接。

本發明提供一種光致抗蝕劑去除工藝，其包括以下步驟：使得晶圓進入光致抗蝕劑去除機臺，光致抗蝕劑去除機臺包括加熱器、晶圓載具以及高度控制單元，并且晶圓進入光致抗蝕劑去除機臺時，借助晶圓載具使得晶圓位于承載位置；快速升溫加熱器；通過高度控制單元移動晶圓載具，使得晶圓移動至降溫位置；通過高度控制單元移動晶圓載具，使得晶圓移動至工藝位置。

應注意的是，當晶圓位于工藝位置時，晶圓與加熱器的間距為3mm。

應注意的是，光致抗蝕劑去除機臺還包括溫度控制器，溫度控制器與加熱器電性連接。

應注意的是，光致抗蝕劑去除機臺還包括馬達，馬達與晶圓載具電性連接且與高度控制單元電性連接。

本發明能夠避免晶圓過熱而導致光致抗蝕劑爆裂，由此提升工藝合格率。

為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，以下特別舉出優選實施例并配合附圖作詳細說明。

附圖說明

圖1A為傳統光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于承載位置的示意圖；

圖1B為傳統光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于工藝位置的示意圖；

圖2A為本發明的光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于承載位置的示意圖；

圖2B為本發明的光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于降溫位置的示意圖；

圖2C為本發明的光致抗蝕劑去除機臺的晶圓載具位于工藝位置的示意圖；以及

圖3為本發明的光致抗蝕劑去除工藝的流程圖。

其中，附圖標記說明如下：

現有技術

10??光致抗蝕劑去除機臺

11??晶圓載具

12??加熱器

13??馬達

14??溫度控制器

20??晶圓

本發明

30??光致抗蝕劑去除機臺

31??晶圓載具

32??加熱器

33??馬達

34??高度控制單元

35??溫度控制器

40??晶圓

H???間距

具體實施方式