[發(fā)明專利]光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)以及光致抗蝕劑去除工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810096212.9
• 申請(qǐng)日: 2008-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN101571678A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳瑞鴻;方建章;張鳳如;楊思宏;蕭士杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳 晨;張?jiān)≡?/td>

1.一種光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)，用以去除晶圓上的光致抗蝕劑，包括：

加熱器；

晶圓載具，支撐該晶圓并使得該晶圓相對(duì)于該加熱器作垂直位移；

馬達(dá)，與該晶圓載具電性連接；以及

高度控制單元，該高度控制單元與該馬達(dá)電性連接，以控制該晶圓與該加熱器的間距；

其中，利用該高度控制單元控制該晶圓停留于至少三個(gè)位置。

2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)，其中該晶圓剛進(jìn)入該光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)時(shí)，該晶圓位于承載位置，當(dāng)該加熱器的溫度高于設(shè)定溫度超過10度以上，該晶圓移動(dòng)到降溫位置，當(dāng)該加熱器調(diào)整至工藝溫度的正負(fù)5度時(shí)，該晶圓移動(dòng)到工藝位置。

3.如權(quán)利要求2所述的光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)，其中當(dāng)該晶圓位于該工藝位置時(shí)，該晶圓與該加熱器的間距為3mm。

4.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)，其還包括溫度控制器，該溫度控制器與該加熱器電性連接。

5.一種光致抗蝕劑去除工藝，其包括以下步驟：

使得晶圓進(jìn)入光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)，該光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)包括加熱器、晶圓載具以及高度控制單元，并且該晶圓進(jìn)入該光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)時(shí)，借助該晶圓載具使得該晶圓位于承載位置；

快速升溫該加熱器；

通過該高度控制單元移動(dòng)該晶圓載具，使得該晶圓移動(dòng)至降溫位置；

通過該高度控制單元移動(dòng)該晶圓載具，使得該晶圓移動(dòng)至工藝位置。

6.如權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑去除工藝，其中當(dāng)該晶圓位于工藝位置時(shí)，該晶圓與該加熱器的間距為3mm。

7.如權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑去除工藝，其中該光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)還包括馬達(dá)，該馬達(dá)與該晶圓載具電性連接且與該高度控制單元電性連接。

8.如權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑去除工藝，其中該光致抗蝕劑去除機(jī)臺(tái)還包括溫度控制器，該溫度控制器與該加熱器電性連接。