[發(fā)明專利]垂直磁記錄介質(zhì)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810095953.5 | 申請日： | 2008-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101369429A | 公開（公告）日： | 2009-02-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 埃里克·E·富勒頓;奧拉夫·赫爾維格 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/73 | 分類號： | G11B5/73;G11B5/82;G11B5/855 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 記錄 介質(zhì) 方法 | ||
1.一種圖案化磁記錄介質(zhì)，包括：
襯底，具有基本平坦的表面和多個從所述表面基本垂直延伸的間隔開的柱，所述柱具有側(cè)壁和末端；
位于所述柱的末端上的具有垂直磁各向異性的記錄層，所述記錄層由包括選自Co、Fe、Pt、Pd和Ni構(gòu)成的集合的一種或多種元素的材料形成；
處于所述柱之間的所述表面處的非磁區(qū)域，所述非磁區(qū)域包括所述記錄層元素中的至少一種與來自所述襯底的材料的至少一種元素的化合物；以及
位于所述非磁區(qū)域上及所述柱的側(cè)壁上的帽蓋層，所述帽蓋層由基本不與所述襯底材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述帽蓋層還直接位于所述柱的末端上的記錄層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述帽蓋層包括選自Ta、W、Mo、Nb、Re及其合金構(gòu)成的集合中的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述帽蓋層包括選自非晶類金剛石碳、氧化鋁、氮化硅和氧化硅構(gòu)成的集合中的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述襯底包括選自Si和Ge的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的介質(zhì)，其中，所述襯底包括硅晶片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的介質(zhì)，其中，所述襯底包括剛性基體和所述基體上的非晶Si層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)，其中，所述襯底還包括所述基體上的軟磁導(dǎo)材料的襯層以及所述襯層和所述非晶Si層之間的擴散阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的介質(zhì)，其中，所述襯層材料包括從包括CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr和CoZrNb的合金集合中選擇的合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述記錄層包括由第一材料和第二材料的交替層構(gòu)成的多層，所述多層從包括Cp和Pt、Co和Pd、Co和Ni、Fe和Pt、以及Fe和Pd的多層集合中選擇。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述記錄層材料包括顆粒Co合金。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的介質(zhì)，其中，所述記錄層材料還包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一種或多種的氧化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述記錄層材料包括選自CoPt、CoPd、FePt和FePd構(gòu)成的集合中的化學(xué)有序合金。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其中，所述介質(zhì)為磁記錄盤，并且其中所述柱布置在所述襯底上多個基本同心圓道中。
15.一種用于制造圖案化垂直磁記錄介質(zhì)的方法，包括：
提供襯底，所述襯底包括選自Si和Ge的材料，并且具有基本平坦的表面和多個從所述表面基本垂直延伸的柱，所述柱具有側(cè)壁和末端，并且在所述表面上間隔開，從而在所述表面處的所述柱之間界定溝槽；
在所述柱末端上和所述溝槽內(nèi)淀積垂直磁記錄材料的記錄層，所述記錄層材料包括選自由Co、Fe、Pt、Pd和Ni構(gòu)成的集合中的一種或多種元素；
直接在所述溝槽內(nèi)的記錄層材料上及在所述柱的所述側(cè)壁上淀積帽蓋層，所述帽蓋層由基本不與Si或Ge發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料形成；以及
在淀積所述帽蓋層之后，加熱所述襯底，從而使所述選出的Si或Ge與所述溝槽內(nèi)的所述記錄層元素中的至少一種發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述帽蓋層的淀積包括直接在所述柱的末端上的記錄層材料上淀積所述帽蓋層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述帽蓋層的淀積包括在繞平行于襯底表面法線的軸旋轉(zhuǎn)襯底的同時，以相對于襯底表面法線的一傾斜角淀積所述帽蓋層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述帽蓋層的淀積包括淀積選自Ta、W、Mo、Nb、Re及其合金構(gòu)成的集合的材料的層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述帽蓋層的淀積包括淀積選自非晶類金剛石碳、氧化鋁、氮化硅和氧化硅構(gòu)成的集合的材料的層。
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