[發(fā)明專利]集成電路封裝件及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810095896.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101271888A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊耀凱;劉千;鐘智明;劉昭成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 臺(tái)灣省高雄市*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路封裝件及其制造方法,且特別是有關(guān)于一種具堆棧管芯的結(jié)構(gòu)的集成電路封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)今,電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)有著重于輕薄短小、多功能與高速度的趨勢(shì)。因此,在電子封裝產(chǎn)業(yè)積極的投入與研發(fā)后,各種型式的封裝技術(shù)與產(chǎn)品相繼問(wèn)世。電子封裝產(chǎn)業(yè)除了以支持電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)需求為使命之外,如何不斷地提高各式封裝產(chǎn)品的輸入/輸出(I/O)的密集度、降低生產(chǎn)成本、增加生產(chǎn)效率,來(lái)使產(chǎn)品更具有優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力,實(shí)乃其所致力的目標(biāo)之一。
在各種型式的封裝技術(shù)與產(chǎn)品中,近年來(lái)四側(cè)無(wú)引腳扁平(QFN)封裝技術(shù)已成為開(kāi)發(fā)與應(yīng)用的重心之一。QFN封裝采用微型引線框架(microlead-frame),其具有與芯片尺寸封裝(chip?size?package,CSP)相似的優(yōu)點(diǎn),就是不必從四側(cè)引出接腳,可以節(jié)省大量的空間。但QFN封裝產(chǎn)品,是可以不使用錫球作為接腳,而能直接地使用底部外露的接墊(contact?pad)來(lái)作為接腳。
此外,QFN封裝產(chǎn)品具備優(yōu)越的散熱性與電性特性。在散熱性方面,由于QFN封裝產(chǎn)品的底部更可以部分地外露出管芯座(die?pad),故可以提供更多的散熱路徑。在電性特性方面,QFN封裝產(chǎn)品的接墊導(dǎo)電路徑較短,自感系數(shù)及內(nèi)部布線電阻較低,且寄生電感和電容較小。因此,QFN封裝技術(shù)與產(chǎn)品能在近年來(lái)的應(yīng)用快速地增長(zhǎng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路封裝件,除了具備優(yōu)越的散熱性與電性特性之外,更兼具堆棧管芯的結(jié)構(gòu),使封裝件電性結(jié)構(gòu)具有更多的功能,且不浪費(fèi)空間。此外,在制造方法上,是在模塊形成后,才以蝕刻金屬板的下表面的方式,形成互相電性隔離的管芯座與接墊,使得生產(chǎn)制程更為簡(jiǎn)便,而具有低成本、易制造的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明提出一種集成電路封裝件,其包括一管芯座、數(shù)個(gè)第一接墊、數(shù)個(gè)第二接墊、一第一管芯、一第二管芯及一模塊。第一接墊與第二接墊是鄰近于管芯座的至少一側(cè),并分成兩列地沿著管芯座的至少一側(cè)排列。第一接墊位于內(nèi)側(cè),第二接墊位于外側(cè)。管芯座、第一接墊與第二接墊為互相電性隔離。第一管芯固定于管芯座上,并以打線的方式電性連接至第一接墊。第二管芯固定于第一管芯上,并以打線的方式電性連接至第二接墊。模塊覆蓋住第二管芯、第一管芯、管芯座、第一接墊與第二接墊,并且模塊的下表面是外露出管芯座的底部、第一接墊的底部及第二接墊的底部。
本發(fā)明更提出一種集成電路封裝件的制造方法,其包括下列步驟。首先,圖案化一金屬板的一上表面,以于上表面定義出一第一區(qū)域、數(shù)個(gè)第二區(qū)域及數(shù)個(gè)第三區(qū)域。此些第二區(qū)域與此些第三區(qū)域是鄰近于第一區(qū)域的至少一側(cè),并且分成兩列地沿著第一區(qū)域的至少一側(cè)排列。第二區(qū)域位于內(nèi)側(cè),第三區(qū)域位于外側(cè)。接著,固定一第一管芯于第一區(qū)域的金屬板上。然后,固定一第二管芯于第一管芯上。接著,以打線的方式,將第一管芯電性連接至第二區(qū)域的金屬板。然后,以打線的方式,將第二管芯電性連接至第三區(qū)域的金屬板。接著,形成一模塊于上表面,以覆蓋住第二管芯、第一管芯及金屬板的上表面。之后,蝕刻至少部分的金屬板的一下表面,以使金屬板于第一區(qū)域、此些第二區(qū)域及此些第三區(qū)域分別形成互相電性隔離的一管芯座、數(shù)個(gè)第一接墊與數(shù)個(gè)第二接墊。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉一較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下:
附圖說(shuō)明
圖1繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的集成電路封裝件的仰視圖。
圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的集成電路封裝件的側(cè)視圖。
圖3繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的集成電路封裝件的側(cè)視圖。
圖4A~4E分別繪示一種制造第一實(shí)施例的集成電路封裝件的示意圖。
圖5A~5F分別繪示另一種制造第一實(shí)施例的集成電路封裝件的示意圖。
圖6A~6F分別繪示一種制造第二實(shí)施例的集成電路封裝件的示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
100、200:封裝件
110、210:管芯座
120、220:第一接墊
130、230:第二接墊
140、240:第一管芯
150、250:第二管芯
160、260:模塊
160a、260a:模塊下表面
270:錫球
400:金屬板
400a:金屬板上表面
400b:金屬板下表面
d1、d2:厚度
r1、r2、r3:區(qū)域
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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