[發明專利]集成電路結構的制造方法及內插板晶片的處理方法有效
| 申請號: | 200810095579.9 | 申請日: | 2008-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN101373721A | 公開(公告)日: | 2009-02-25 |
| 發明(設計)人: | 李建勛;宋明忠;趙智杰;郭祖寬 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 結構 制造 方法 插板 晶片 處理 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路的工藝,特別涉及芯片組裝至內插板晶片上的方法及設備。
背景技術
內插板(interposer)通常用在集成電路的封裝上,以連接半導體芯片和封裝組件,例如半導體芯片上通常具有緊密間隔的接合焊盤,而不易接合至封裝基底上,因此利用內插板使半導體芯片接合的間距增加。在此例中,每一個內插板具有第一面和第二面,在第一面上具有較小間距的銅柱對應至半導體芯片,在第二面上具有間距比銅柱大的接合焊盤。
通常使用有機材料、陶瓷或相似的材料形成內插板,目前已經有使用硅作為基礎材料的內插板,硅內插板的優點為與半導體芯片中的硅基底具有相同的熱膨脹系數,因此在硅內插板與含硅的半導體芯片之間所產生的應力較小。此外,雖然目前的技術已經夠成熟以形成超薄硅晶片,但是當內插板的厚度降至約5密爾(mil)或其以下時,在使用硅內插板的工藝中會產生一些問題,特別是在未來世代的集成電路中,這樣的內插板晶片太薄,以致于不能使用傳統的封裝技術傳送。
一種用以處理超薄內插板晶片的方法為使用紫外光膠布將其附著至玻璃晶片上,并在芯片附著至內插板晶片后移除玻璃晶片,然而,在后續芯片附著的回焊工藝中需要高于400℃的溫度,這對于紫外光膠布而言溫度太高,因此,需要一種新的方法以處理超薄內插板晶片。
發明內容
依據本發明的一實施例,提供一種集成電路結構的制造方法,包括提供內插板晶片,將內插板晶片固定到工作晶片上,使內插板晶片的背面薄化,在薄化步驟之后,將工作晶片從內插板晶片移開,將內插板晶片固定到治具上,以及將芯片接合至內插板晶片上。
依據本發明的另一實施例,提供一種內插板晶片的處理方法,包括提供一設備,其包含:晶片傳輸機,用以傳輸內插板晶片,其中晶片傳輸機包括第一機械手臂用以轉移內插板晶片,以及第二機械手臂用以從工作晶片上卸下內插板晶片;治具,用以放置內插板晶片,其中治具包括一平面;以及固定元件,用以固定內插板晶片到治具上。該處理方法還包括將工作晶片附著至內插板晶片上,將內插板晶片的背面薄化,使用第二機械手臂將工作晶片從內插板晶片卸下,使用第一機械手臂將內插板晶片翻轉,使得內插板晶片的正面朝下,并且傳送內插板晶片到治具的平面上,使用固定元件固定內插板晶片,以及將芯片接合到內插板晶片上。
依據本發明的又另一實施例,提供一種集成電路結構的制造方法,包括提供內插板晶片,使用紫外光膠布將內插板晶片固定到工作晶片上,將內插板晶片的背面薄化,暴露出在內插板晶片內的多個銅柱,將內插板晶片的背面放置在真空吸盤上,將紫外光膠布暴露在紫外光下,將工作晶片從內插板晶片移開,將內插板晶片翻轉并固定到治具上,以及使用治具傳送內插板晶片。
本發明所提供的方法及設備有利于處理超薄內插板晶片。
為了讓本發明的上述目的、特征、及優點能更明顯易懂,以下配合附圖,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1至圖6B為處理內插板晶片及固定內插板晶片至治具上的中間過程的剖面圖。
圖7為容納治具的示范性的治具卡匣的示意圖。
圖8和圖9為接合芯片至內插板晶片上的示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
20~內插板晶片;????????22~基礎材料;
24~銅柱;??????????????26~焊錫凸塊或錫球;
28~紫外光膠布;????????30~工作晶片或玻璃晶片;
31~基礎材料的背面;????32、36~機械手臂;
34~機械手臂的前端;????38~真空吸盤;
39~紫外光;????????????40~治具;
42~平板;??????????????44~自動鉗子;
46~插栓;??????????????48~膠布;
50~治具卡匣;??????????52~架子;
60~芯片;??????????????62~凸塊;
64~切割線;????????????66~內插板。
具體實施方式
本發明的優選實施例的制造和使用如下所述,然而本發明還提供許多可應用的發明概念,其可以在各種特殊的應用中實行,在此所提及的特定實施例僅說明以特定方式去使用與制造本發明,并非用以限定本發明的范圍。
在此提供薄的內插板晶片的處理方法以及其使用的新設備,進行本發明的優選實施例的中間過程如下所述,在各種附圖及本發明的實施例中,類似的元件使用相似的符號標示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





