[發明專利]制造多個半導體器件的方法和設備

有效

• 申請號: 200810095155.2
• 申請日: 2008-03-12
• 公開（公告）號: CN101266934A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: B·－H·姜
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王慶海;魏軍

1.一種用于制造多個半導體器件的方法，所述方法包括：

提供包括多個開口腔體的載體，所述載體包括作為底面部分的引線框和從所述底面部分向上延伸以便限定所述腔體的多個側壁部分；

在每個腔體內布置至少一個半導體元件，所述引線框支撐所述至少一個半導體元件；

使用封裝材料填充多個腔體；以及

通過蝕刻過程移除該載體。

2.如權利要求1所述的方法，其中提供載體包括通過生長側壁材料形成所述多個側壁部分。

3.如權利要求2所述的方法，其中通過生長側壁材料形成所述多個側壁部分包括電鍍工藝。

4.如權利要求1所述的方法，其中提供載體包括選擇性地生長側壁材料至第一高度和第二高度以便形成所述多個側壁部分，所述第二高度低于所述第一高度，使得使用封裝材料填充多個腔體產生通過封裝材料連接的被填充的腔體。

5.如權利要求4所述的方法，包括移除該載體之后，分離被填充的腔體。

6.如權利要求1所述的方法，其中提供載體包括將側壁材料生長至第一高度，并選擇性地將該側壁材料從該第一高度降低至第二高度以便形成所述多個側壁部分，使得使用封裝材料填充多個腔體產生通過封裝材料連接的被填充的腔體。

7.如權利要求1所述的方法，其中引線框是銅引線框。

8.如權利要求1所述的方法，進一步包括接觸布置在每個腔體中的所述至少一個半導體元件。

9.一種用于制造多個半導體器件的方法，所述方法包括：

提供包括多個開口腔體的載體，所述載體包括作為底面部分的引線框和從所述底面部分向上延伸以便限定所述腔體的多個側壁部分；

在每個腔體內布置至少一個半導體元件，所述引線框支撐所述至少一個半導體元件；

使用封裝材料填充多個腔體，以使得多個鄰近的被填充的腔體通過封裝材料連接；以及

通過蝕刻過程移除該載體。

10.如權利要求9所述的方法，進一步包括在移除載體之后分離被填充的腔體。

11.如權利要求10所述的方法，其中提供載體包括將側壁材料通過電鍍工藝選擇性地生長至第一高度和第二高度以便形成多個側壁部分，該第二高度低于該第一高度，使得使用封裝材料填充多個腔體產生通過封裝材料連接的被填充的腔體。

12.如權利要求10所述的方法，其中提供載體包括將側壁材料生長至第一高度，并選擇性地將該側壁材料從該第一高度降低至第二高度以便形成所述多個側壁部分，使得使用封裝材料填充多個腔體產生通過封裝材料連接的被填充的腔體。

13.如權利要求10所述的方法，進一步包括接觸布置在每個腔體內的所述至少一個半導體元件。