[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810095152.9
• 申請(qǐng)日: 2008-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN101261990A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·薩庫(kù)萊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/04
• 分類號(hào): H01L27/04;H01L27/06
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;王忠忠

1.一種半導(dǎo)體裝置，由在芯片狀的硅襯底或晶片狀的硅襯底上所形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件構(gòu)成，其特征在于，

在所述硅襯底的表面，構(gòu)成具有至少三個(gè)以上分別不同的面方位的半導(dǎo)體元件。

2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

形成在所述硅襯底上的NMOS晶體管的至少溝道區(qū)域應(yīng)用硅襯底的表面的第一面方位，PMOS晶體管的至少溝道區(qū)域應(yīng)用第二面方位，MOS電容部的至少柵電極正下方應(yīng)用第三面方位。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

由于電子或空穴通過而起到元件的作用的硅襯底與氧化硅膜界面的至少一部分也應(yīng)用所述第三面方位。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述電子或空穴通過的硅襯底與氧化硅膜界面的至少一部分的面方位是從<100>面朝向<010>面傾斜1～4°的面方位。