[發明專利]光學器件和曝光裝置

有效

• 申請號: 200810094938.9
• 申請日: 2008-04-30
• 公開（公告）號: CN101324685A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 向井厚史;園田慎一郎
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

1.一種光學器件，包括：

光源，輸出預定波長的光；

第一光學構件，所述預定波長的光穿過該第一光學構件；和

第二光學構件，緊靠所述第一光學構件，且所述預定波長的光穿 過該第二光學構件；其中

所述預定波長是從160nm到500nm，在所述第一光學構件與所述 第二光學構件之間的鄰接面上設置接合抑制膜，且所述鄰接面中的光 密度為4464W/mm²或更小，其中所述接合抑制膜包括氟化物。

2.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述鄰接面中的光密 度為1600W/mm²或更小。

3.根據權利要求2所述的光學器件，其中，所述接合抑制膜的厚 度為所述預定波長的光的波長的1/6或更小。

4.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述接合抑制膜的厚 度為所述預定波長的光的波長的1/12或更小。

5.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件或 所述第二光學構件的端面的光密度為8W/mm²或更小，其中所述光進 入所述端面或從所述端面發射，且所述端面暴露于空氣。

6.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第二光學構件包 括光纖和設置在所述光纖與所述第一光學構件之間的第三光學構件， 并且所述光纖和所述第三光學構件彼此熔接。

7.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件和 所述第二光學構件中的至少一個由多個構件組成，且所述多個構件之 間的第二鄰接面中的光密度為140W/mm²或更小。

8.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述光的會聚位置是 除所述鄰接面中之外的位置。

9.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件和 所述第二光學構件具有比穿過其的光的光束直徑大的直徑。

10.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 或所述第二光學構件中的一個的端面在與所述預定波長的光的主軸垂 直的方向上傾斜，其中所述光進入該端面且該端面暴露于空氣。

11.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個包括石英。

12.根據權利要求5所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，且所述預定波長的光的輸 出是所述光纖的芯的橫截面積×8W/mm²或更大。

13.根據權利要求5所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，且所述預定波長的光的輸 出是所述光纖的橫截面積×8W/mm²或更大。

14.根據權利要求5所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，所述預定波長的光的輸出 是保持所述光纖的套圈的橫截面積×8W/mm²或更大。

15.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，且所述預定波長的光的輸 出是所述光纖的芯的橫截面積×4464W/mm²或更大。

16.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，且所述預定波長的光的輸 出是所述光纖的橫截面積×4464W/mm²或更大。

17.根據權利要求1所述的光學器件，其中，所述第一光學構件 和所述第二光學構件中的至少一個是光纖，且所述預定波長的光的輸 出是保持所述光纖的套圈的橫截面積×4464W/mm²或更大。