[發(fā)明專利]光學器件和曝光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810094938.9 | 申請日： | 2008-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101324685A | 公開（公告）日： | 2008-12-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 向井厚史;園田慎一郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | G02B6/42 | 分類號： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人： | 梁曉廣;陸錦華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學 器件 曝光 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種光學器件和曝光裝置，且更具體地，涉及一種將 諸如光纖與透明構(gòu)件這樣的光學構(gòu)件彼此連接以傳播諸如激光這樣的 光的光學器件和曝光裝置。
背景技術
作為將諸如光纖與透明構(gòu)件這樣的光學構(gòu)件彼此連接以傳播激光 的傳統(tǒng)光學器件，國際專利申請公開No.WO2004/68230公開了一種技 術，其中，無芯光纖通過熔接(fusion?splice)與光纖的輸出端連接， 并將光路的長度設置成使得輸出光束不被無芯光纖端面變得漸暈 (vignetted)。尤其是當無芯光纖長度設為1mm或更小時，減小了漸 暈。
日本專利申請公開(JP-A)No.5-288967公開了一種器件，其中， 通過熱熔在光纖的輸入端面上一體形成光導棒(light-introduction?rod)， 該光導棒具有與光纖芯相同的折射率并具有與光纖相同的外徑。
JP-A?No.2007-25431公開了一種尾纖型激光模塊，其中，光纖入 射端面或暴露于空氣的輸出端面中的光功率密度為15W/mm2或更小， 或者60到800W/mm2。
JP-A?No.2006-286866公開了一種插孔型激光模塊，其中，使透明 構(gòu)件與光纖入射端面接觸，從而自透明構(gòu)件收集半導體激光并將該光 導入光纖，透明構(gòu)件入射側(cè)上的光密度為10W/mm2或更小。
然而，當在尾纖型激光模塊的入射部分中使用國際專利申請公開 No.WO2004/68230中公開的技術時，存在下述問題，即如果光輸出較 高，則在一些情形中無芯光纖端面被污染且其壽命減小。另一方面， 當對于插孔型激光模塊使用該技術時，光纖緊靠透明構(gòu)件，如插頭 (stab)，由此將光纖端面定位在光束傳播方向上。然而，當光輸出較 高時，在激光打開的同時在無芯光纖與插頭之間發(fā)生熔融。在該情形 中，存在下述問題，即熔融的部分通過振動等很容易剝離，且光纖的 連接損耗增加。
依照JP-A?No.5-288967中公開的技術，與國際專利申請公開No. 2004/68230中公開的技術一樣，如果當對于插孔型激光模塊使用該技 術時光輸出較高，則存在下述問題，即發(fā)生熔融，且光纖的連接損耗 增加。當入射光輸出較高時，存在另一個問題，即光纖端面被污染。
依照JP-A?No.2007-25431中公開的技術，在光纖入射端面或輸出 端面中，如果光密度超過了15W/mm2，則不能防止污染，然而，存在 下述問題，即因為確定了光纖入射端的芯直徑，所以通過光纖直徑確 定光輸出的上限，這樣，光輸出不可能相當高。
依照JP-A?No.2006-286866中公開的技術，與國際專利申請公開 No.2004/68230中公開的技術一樣，存在下述問題，即發(fā)生熔融，且光 纖的連接損耗增加。
當使用諸如405nm的短波長的光源時，公知的是，在光纖端面中 產(chǎn)生污染，光輸出衰減，并且膜質(zhì)量降低。公知的是，尤其當光輸出 密度變高時，與空氣接觸的諸如玻璃這樣的透明構(gòu)件的表面被污染， 且輸出大大減小。
為了抑制由這種污染導致的光輸出的衰減，考慮了減小光輸出密 度，然而，在傳統(tǒng)技術中，關于應當減小多少光輸出密度以抑制由污 染導致的光輸出的衰減，這點不清楚。
當較高的輸出光進入如上所述透明構(gòu)件被連接到光纖端面的結(jié)構(gòu) 中時，在兩個端面上可能發(fā)生玻璃熔融。然而，如果熔融發(fā)生，即使 給光纖施加輕微的振動，它們也可能剝離，且存在下述問題，即由于 剝離表面上的不均勻所導致的光散射，傳輸損耗增加，且可靠性降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能抑制光輸出衰減的光學器件和曝光裝置。
依照本發(fā)明的示例性實施例，提供了一種光學器件，其包括：光 源，輸出預定波長的光；第一光學構(gòu)件，預定波長的光穿過該第一光 學構(gòu)件；和第二光學構(gòu)件，緊靠第一光學構(gòu)件且預定波長的光穿過該 第二光學構(gòu)件，其中，所述波長在大約160到500nm的范圍中，在第 一光學構(gòu)件與第二光學構(gòu)件之間的鄰接面上設置有接合抑制膜，且鄰 接面中的光密度大約為4464W/mm2或更小。
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