[發(fā)明專利]半導體器件和用于制造BOAC/COA的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810094759.5
• 申請日: 2008-05-16
• 公開（公告）號: CN101308829A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 金相喆
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

相關申請交叉參考

本申請要求在35U.S.C.119的規(guī)定下對于韓國專利申請No.10-2007-0048576(于2007年5月18日提交)的優(yōu)先權，其全文以引用方式整體結合于此。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件制造領域。

背景技術

如示例圖1所示，半導體器件中的有源電路結構上的連接(bonding)(BOAC/COA)可以通過示例圖2A到2E中所示的加工方案制造。

例如，如示例圖2A所示，金屬焊盤203和鈍化氧化膜205可以通過半導體工藝形成在半導體(硅)襯底201上面和/或上方。此后，可以將可以由TiW組成的屏蔽金屬(barrier?metal)207沉積在金屬焊盤203和鈍化氧化膜205的整個表面的上面和/或上方。

如示例圖2B所示，隨后可以利用化學氣相沉積(CVD)工藝將可以由Cu組成的金屬種子(metal?seed)209沉積在沉積的屏蔽金屬207的整個表面上面和/或上方。此后，可以將光刻膠PR沉積在金屬(Cu)種子209的整個表面上面和/或上方。

如示例圖2C所示，隨后可以通過使用被設計成結合焊盤形成區(qū)的中間掩模的曝光和顯影工藝選擇性去除沉積在整個表面上面和/或上方的PR的一部分，由此在金屬種子209的頂部上形成限定結合焊盤形成區(qū)的PR圖案211。

如示例圖2D所示，隨后，通過使用硫酸浴執(zhí)行電鍍工藝可以將金屬層213沉積在限定結合焊盤形成區(qū)的PR圖案211中。

如示例圖2E所示，隨后可以通過汽蒸工藝(steaming?process)去除殘余的PR圖案211，隨后選擇性去除金屬種子209的一部分，由此實施BOAC/COA的制造。

然而，在上述BOAC/COA的制造中，當如上所述地并如示例圖2D中所示地那樣實施利用硫酸浴的電鍍工藝時，這與利用硫酸浴的用于融化PR的金屬雙嵌刻(metal?dual?damascene)技術相反，并且因此，金屬沉積就非正常地進行。此外，在進行用于選擇性去除金屬種子209的一部分的汽蒸工藝的情況下，沉積在結合焊盤形成區(qū)中的材料也可以被損壞，因為它是與金屬種子209相同的金屬材料，由此有損于所獲得的半導體裝置的產量和可靠性。

發(fā)明內容

實施方式涉及半導體器件和用于制造BOAC/COA的方法，它們可以通過借助金屬雙嵌刻工藝來實施BOAC/COA從而降低成本并提高器件性能。

實施方式涉及半導體器件，其可包括下列的至少一個：形成在半導體襯底的整個表面之上的導電焊盤；形成在導電焊盤上的鈍化氧化膜；被形成以限定將被形成在導電焊盤和鈍化氧化膜的頂部上的結合焊盤區(qū)的金屬；形成在金屬的兩個側壁上的部分屏蔽膜；以及形成在屏蔽膜的兩個側壁上的局部金屬種子。

實施方式涉及用于制造半導體器件的BOAC/COA的方法，該方法可包括下列步驟的至少一個：在半導體器件上形成導電焊盤和鈍化氧化膜并在導電焊盤和鈍化氧化膜的整個表面之上沉積氧化膜；以及隨后形成用于限定將被形成在導電焊盤和鈍化氧化膜上的結合焊盤區(qū)的氧化膜圖案；以及隨后在于形成氧化膜圖案的步驟中形成的氧化膜圖案的整個表面之上沉積屏蔽膜和金屬種子；以及隨后在沉積的金屬種子的整個表面之上沉積金屬；以及隨后整平沉積的金屬，直到氧化膜圖案以及屏蔽膜和金屬種子的一部分露出；以及隨后通過蝕刻去除在沉積屏蔽膜和金屬種子的步驟中露出的氧化膜圖案來制造BOAC/COA。

附圖說明

圖1和圖2A-2E示出了半導體器件的BOAC/COA結構和用于制造該結構的方法。

圖3和圖4A-4D示出了根據(jù)實施例的半導體器件的BOAC/COA結構和用于制造該結構的方法。

具體實施方式

下文中，可以存在根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，并且將參照附圖詳細描述優(yōu)選的實施例。對于本領域技術人員，本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點將通過下面這個實施例的描述變得更加顯而易見。

圖3示出了半導體器件的BOAC/COA結構的垂直橫截面視圖，該結構可包括形成在半導體襯底401上面和/或上方的金屬焊盤403和鈍化氧化膜405。用于限定結合焊盤形成區(qū)的金屬413可在金屬焊盤403和鈍化氧化膜405上面和/或上方形成。金屬413可由諸如銅(Cu)的金屬構成?？梢杂蒚iW組成的局部屏蔽金屬409a可以在金屬413的兩側壁上形成?？梢杂摄~(Cu)組成的局部金屬種子411a可在已形成的屏蔽金屬409a的兩側壁上形成。