[發(fā)明專利]高電壓半導(dǎo)體器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810094754.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN101308874A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張德基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/8222
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種高電壓半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

第一高電壓N型阱，形成在所述半導(dǎo)體襯底中；

第一高電壓P型阱，形成在所述第一高電壓N型阱中；

第二高電壓N型阱，形成在所述第一高電壓N型阱中并包圍所述第一高電壓P型阱；

柵極介電層和柵電極，堆疊形成在所述第一高電壓P型阱上；以及

第一N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域，在所述第一高電壓P型阱中形成在所述柵電極的兩側(cè)，

其中，基于形成有所述第一高電壓P型阱的部分，所述第一高電壓N型阱的上部區(qū)域的濃度低于所述第一高電壓N型阱的下部區(qū)域的濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：第二N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域，形成在所述第二高電壓N型阱的內(nèi)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，其中，所述第一N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域包括源電極和漏電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域，在所述第一高電壓P型阱中形成在所述柵電極的兩側(cè)下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：側(cè)壁隔離件，形成在所述柵極介電層和所述柵電極的兩側(cè)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：第二高電壓P型阱，形成在所述半導(dǎo)體襯底上的所述第一高電壓N型阱的外部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：第三高電壓N型阱，形成在所述半導(dǎo)體襯底上的所述第一高電壓N型阱的外部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：第二高電壓P型阱和第三高電壓N型阱，形成在所述半導(dǎo)體襯底上的所述第一高電壓N型阱的外部。

9.一種高電壓半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底中形成第一高電壓N型阱；然后

在所述第一高電壓N型阱的外部區(qū)域中形成一對(duì)第二高電壓N型阱；然后

在所述第一高電壓N型阱的中心區(qū)域中形成被所述第二高電壓N型阱包圍的第一高電壓P型阱；然后

在各個(gè)所述第一高電壓P型阱和所述第二高電壓N型阱之間形成器件隔離層；然后

在所述第一高電壓P型阱上順序地形成柵極介電層和柵電極；以及然后

在所述第一高電壓P型阱中形成位于所述柵電極的兩側(cè)的第一N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述第一高電壓N型阱包括：以2500keV或以上的能級(jí)將磷雜質(zhì)離子注入所述半導(dǎo)體襯底中。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第一高電壓N型阱包括：在注入所述磷雜質(zhì)離子之后，執(zhí)行從250分鐘到300分鐘的退火處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述第一N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域期間，同時(shí)在所述第二高電壓N型阱中形成第二N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一N型高濃度雜質(zhì)區(qū)域包括源電極和漏電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：在順序地形成所述柵極介電層和所述柵電極之后，在所述第一高電壓P型阱中形成位于所述柵電極的兩側(cè)上的N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述N型低濃度雜質(zhì)區(qū)域之后，在所述柵電極和所述柵極介電層的兩側(cè)上形成側(cè)壁隔離件。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述第二高電壓N型阱期間，同時(shí)在所述第一高電壓N型阱的外部形成第三高電壓N型阱。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述第一高電壓P型阱期間，同時(shí)在所述第一高電壓N型阱的外部形成第二高電壓P型阱。