[發明專利]粘性晶粒由晶圓分離的形成方法

無效

• 申請號: 200810093403.X
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101567301A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 劉俊賢;張家彰
• 申請（專利權）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78;B81C1/00
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司
• 代理人: 張穎玲;劉淑敏

技術領域

本發明有關于一種半導體裝置的制造技術，特別有關于一種粘性晶粒由晶圓分離的形成方法。

背景技術

當晶圓(wafer)經歷了數十道甚至是更多的半導體工藝，才可制作出兩個或兩個以上呈陣列排列的集成電路或微型機電系統(MEMS)結構后，即會利用切割工藝將晶圓切割出兩個或兩個以上晶粒(die)，以便進行后續的半導體封裝工藝與組裝工藝。然而傳統的晶粒的表面不具有粘性，需在基板上另涂施粘晶材料。需要發展一種粘性晶粒的形成技術，以控制粘晶特性、用量并使后續半導體封裝/組裝工藝更加有效率。

請參考圖1所示，為公知粘性晶粒由晶圓分離的形成過程中的局部元件截面圖。如圖1中的A圖所示，提供欲進行切割工藝的晶圓110，該晶圓110包含兩個或兩個以上一體未分離的晶粒111。此外，該晶圓110可具有集成電路形成表面112以及背面113，該晶圓110還具有兩個或兩個以上位于該集成電路形成表面112的焊墊114(如圖2所示)。接著，如圖1中的B圖所示，在該晶圓110的該集成電路形成表面112貼附晶背研磨膠帶120，借此覆蓋及保護該晶圓110的集成電路形成表面112。之后，如圖1中的C圖所示，研磨該晶圓110的該背面113，讓該晶圓110的厚度減少至預定的厚度。之后，如圖1中的D圖所示，在該晶圓110的該背面113貼附具有粘著層130的載膜140。之后，如圖1中的D圖所示，再以剝離治具(圖中未示出)依箭頭方向使原先粘貼在該集成電路形成表面112的該晶背研磨膠帶120被分離，而顯露出該集成電路形成表面112(如圖1中的E圖所示)。之后，如圖1中的F圖所示，利用晶圓切割機臺(圖中未示出)進行該晶圓110的對位，并利用切割刀具(例如金剛石劃片器)依照預先設定好的切割道(scribe?line)，將該晶圓110切割成兩個或兩個以上分離的晶粒111，除了切穿該粘著層130，還會些許切入該載膜140。最后，如圖1中的G圖所示，再以真空吸嘴(圖中未示出)進行后續的晶粒撿拾工藝。

請參考圖1中的F圖及圖2所示，在上述的切割步驟中，當利用切割刀具160由上往下切割該晶圓110及該粘著層130至該載膜140時，該粘著層130會產生向下彎曲的毛邊131(如圖2所示)，而使該粘著層130形成不平整的粘晶表面，會導致后續該粘著層130粘貼至另一芯片或基板產生貼附傾斜與粘晶余隙的問題。該粘著層130無法與被貼附的芯片(或基板)產生良好的粘合面積，導致易于分層，故影響半導體封裝/組裝品質。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，避免在粘著層的邊緣產生突出粘晶面的切割毛邊，進而解決公知切割毛邊引起粘晶貼附傾斜與余隙的問題。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明所揭示的一種粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，主要包含以下步驟。首先，提供晶圓，該晶圓包含兩個或兩個以上一體未分離的晶粒。接著，在這些晶粒之間形成切割空隙。之后，轉印粘著層于該晶圓上，其中該粘著層形成在可擴張膜上。之后，形成預裂導槽于該粘著層，該預裂導槽對準于該切割空隙并且不貫穿該粘著層。之后，拉伸該可擴張膜，以使該粘著層沿著該預裂導槽的紋路予以分裂。最后，由該可擴張膜取出這些貼附有已分裂粘著層的晶粒。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該晶圓可具有集成電路形成表面以及背面，該晶圓還具有兩個或兩個以上位于該集成電路形成表面的焊墊。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該粘著層可轉印于該晶圓的該集成電路形成表面。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該粘著層可轉印于該晶圓的該背面。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，在這些晶粒之間形成該切割空隙的步驟包含晶圓半切割的步驟。

在前述的黏性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該晶圓半切割步驟中形成的切割空隙可具有小于該晶圓的厚度的切割深度，并另包含晶背研磨步驟，以使這些晶粒分離。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，在該晶背研磨步驟之前，可貼附晶背研磨膠帶于該晶圓并遮覆該切割空隙。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該晶背研磨膠帶可在該粘著層的轉印步驟之后予以移除。

在前述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法中，該切割空隙與該預裂導槽可由同一步驟中的切割刀具所形成。