[發(fā)明專利]粘性晶粒由晶圓分離的形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810093403.X
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101567301A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉俊賢;張家彰
• 申請（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78;B81C1/00
• 代理公司: 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張穎玲;劉淑敏

1.一種粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，主要包含以下步驟：

提供晶圓，該晶圓包含兩個(gè)或兩個(gè)以上一體未分離的晶粒；

在所述晶粒之間形成切割空隙；

轉(zhuǎn)印粘著層于該晶圓，其中該粘著層形成在可擴(kuò)張膜上；

形成預(yù)裂導(dǎo)槽于該粘著層，該預(yù)裂導(dǎo)槽對準(zhǔn)于該切割空隙并且不貫穿該粘著層；

拉伸該可擴(kuò)張膜，以使該粘著層沿著該預(yù)裂導(dǎo)槽的紋路予以分裂；以及

由該可擴(kuò)張膜取出貼附有已分裂粘著層的所述晶粒。

2.如權(quán)利要求1所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述晶圓具有集成電路形成表面以及背面，該晶圓還具有兩個(gè)或兩個(gè)以上位于該集成電路形成表面的焊墊。

3.如權(quán)利要求2所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述粘著層轉(zhuǎn)印于該晶圓的背面。

4.如權(quán)利要求1所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述在晶粒之間形成該切割空隙的步驟包含晶圓半切割的步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述晶圓半切割步驟中形成的切割空隙具有小于該晶圓的厚度的切割深度，并另包含晶背研磨步驟，以使所述晶粒分離。

6.如權(quán)利要求5所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，在所述晶背研磨步驟之前，貼附晶背研磨膠帶于該晶圓并遮覆該切割空隙。

7.如權(quán)利要求6所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述晶背研磨膠帶在該粘著層的轉(zhuǎn)印步驟之后予以移除。

8.如權(quán)利要求1所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，在拉伸該可擴(kuò)張膜之后，另包含的步驟為：喪失或減少該可擴(kuò)張膜對該粘著層的粘性，取出所述晶粒。

9.如權(quán)利要求8所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述喪失或減少該可擴(kuò)張膜的粘性的方法包含紫外光照射。

10.如權(quán)利要求1所述的粘性晶粒由晶圓分離的形成方法，其特征在于，所述預(yù)裂導(dǎo)槽具有U形截面。