[發(fā)明專利]芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810093191.5
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101567322A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈更新;陳煜仁
• 申請（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/31;H01L25/00;H01L25/065
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 任永武

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包含：

提供一晶片，具有一上表面及一背面，該晶片上配置有多個芯片，且每一該芯片上具有多個焊墊；

形成一第一保護(hù)層在該晶片的該上表面，并覆蓋住每一該芯片上的這些焊墊；

切割該晶片，以得到這些芯片；

提供一芯片容置架，具有多個芯片容置區(qū)，每一該芯片容置區(qū)之間是以多個線架彼此連接且相鄰的每一該芯片容置區(qū)之間具有一空隙，且每一該芯片容置區(qū)的一正面上配置有一粘著層；

取放每一該芯片至該芯片容置架的這些芯片容置區(qū)上，是將每一芯片的該背面朝下通過該粘著層貼附在該芯片容置架的這些芯片容置區(qū)的該正面上；

形成一高分子材料層在該芯片容置架上及具有該第一保護(hù)層的這些芯片上；

覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充滿在具有該第一保護(hù)層的這些芯片之間，并包覆住每一該芯片及該芯片容置架；

脫離該模具裝置，用以曝露出在每一該芯片上的該第一保護(hù)層的一表面以形成一封裝體；

移除該第一保護(hù)層以曝露出每一該芯片上的這些焊墊，使得該高分子材料層的高度大于每一該芯片的高度；

形成一圖案化的第二保護(hù)層在曝露的每一該芯片的主動面及部份該高分子材料層上，并蝕刻以移除部份該圖案化的第二保護(hù)層以形成多個開口并曝露出這些焊墊；形成多個扇出的圖案化的金屬線段，這些扇出的圖案化的金屬線段的一端與這些焊墊電性連接及部份這些扇出的圖案化的金屬線段形成在部份該高分子材料層上；

形成一圖案化的第三保護(hù)層，以覆蓋每一該芯片的該主動面及每一該扇出的圖案化的金屬線段，并曝露出每一該扇出的圖案化的金屬線段的另一端的一表面；

形成多個圖案化的UBM層在每一該圖案的金屬線段的向外側(cè)延伸的扇出結(jié)構(gòu)的該表面上，且與這些圖案化的金屬線段電性連接；

形成多個導(dǎo)電元件，是將這些導(dǎo)電元件通過這些圖案化的UBM層與這些圖案化的金屬線段電性連接；及

切割該封裝體，以形成多個各自獨(dú)立的完成封裝的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于形成這些扇出的圖案化的金屬線段包括：

形成一金屬層以覆蓋在該每一該芯片的該主動面的這些焊墊上及該高分子材料層上；

形成一圖案化的光刻膠層在該金屬層上；及

移除部份該金屬層，以移除部份這些芯片的該主動面上的該金屬層，以形成這些圖案化的金屬線段，其中部份這些圖案化的金屬線段的一端電性連接多個芯片的該主動面上的這些焊墊，部份這些圖案化的金屬線段的另一端是以扇出方式形成在該高分子材料層上。