[發明專利]分壓測量方法及分壓測量裝置

有效

• 申請號: 200810093059.4
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN101289736A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 山本昌裕;小巖崎剛;山西齊;村岸勇夫;吉永光宏
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 徐殿軍

1.一種分壓測量方法，其特征在于，包括：

移動步驟，使真空腔室內具有的測量專用的局部等離子源移動到測量部位，該局部等離子源具有由直流平行平板電極、高頻平行平板電極、感應耦合線圈電極及網狀對置電極中的任一種構成的電極；以及

測量步驟，經由設在上述真空腔室的壁部上的供光通過的窗，受光來自上述局部等離子源產生的等離子的發光，通過分光測量上述發光的發光強度，來測量上述真空腔室內的分壓分布。

2.一種分壓測量方法，其特征在于，包括：

測量步驟，經由設在真空腔室的壁部上的供光通過的窗，受光來自上述真空腔室內具有的多個測量專用的局部等離子源各自的發光，通過分光測量上述發光的發光強度，來測量上述真空腔室內的多個部位處的分壓分布，上述局部等離子源具有由直流平行平板電極、高頻平行平板電極、感應耦合線圈電極及網狀對置電極中的任一種構成的電極。

3.如權利要求1或2所述的分壓測量方法，其特征在于，

上述分壓測量方法在制造裝置的真空腔室內進行，該制造裝置的真空腔室內具備處理用的處理等離子源和處理對象的基板；

還包括調節步驟，基于在上述測量步驟中測量的分壓分布進行調節，以使發光強度分布變得均勻；

在上述調節步驟中，利用對上述處理等離子源施加高電壓而產生的等離子，在上述基板上物理地形成薄膜。

4.如權利要求3所述的分壓測量方法，其特征在于，

上述制造裝置是在真空腔室內設置有作為等離子源的目標，并利用通過對上述目標施加高電壓而產生的等離子在上述基板上形成薄膜的陰極真空噴鍍裝置；

在上述調節步驟中，基于在上述測量步驟中測量的分壓分布，來調節氣體流量、氣體混合比、目標施加電力及調壓閥開度中的至少一個，以使發光強度分布變得均勻。

5.一種分壓測量裝置，其特征在于，具備：?

測量專用的局部等離子源，設置在真空腔室內；

移動機構，使上述局部等離子源移動到測量部位；

窗，設在上述真空腔室的壁部上，供光通過；以及

測量機構，經由上述窗，受光來自上述局部等離子源產生的等離子的發光，通過分光測量上述發光的發光強度，來測量上述真空腔室內的分壓分布，

上述局部等離子源具有由直流平行平板電極、高頻平行平板電極、感應耦合線圈電極及網狀對置電極中的任一種構成的電極。

6.一種分壓測量裝置，其特征在于，包括：

多個測量專用的局部等離子源，設置在真空腔室內；

窗，設在上述真空腔室的壁部上，供光通過；以及

測量機構，經由上述窗，受光來自上述各局部等離子源產生的等離子的發光，通過分光測量上述發光的發光強度，來測量上述真空腔室內的多個部位處的分壓分布，

上述局部等離子源具有由直流平行平板電極、高頻平行平板電極、感應耦合線圈電極及網狀對置電極中的任一種構成的電極。

7.如權利要求5或6所述的分壓測量裝置，其特征在于，

上述分壓測量裝置還裝備在真空腔室內具有處理用的處理等離子源和處理對象的基板的制造裝置中；

上述制造裝置基于上述測量機構的分壓測量結果進行調節，以使發光強度分布變得均勻；

利用對上述處理等離子源施加高電壓而產生的等離子，在上述基板上物理地形成薄膜。

8.如權利要求7所述的分壓測量裝置，其特征在于，

上述制造裝置是在真空腔室內設置有作為等離子源的目標、利用通過對上述目標施加高電壓而產生的等離子在上述基板上形成薄膜的陰極真空噴鍍裝置；

基于上述測量機構的分壓測量結果，調節氣體流量、氣體混合比、目標施加電力及調壓閥開度中的至少一個，以使發光強度分布變得均勻。?